NSBC123JPDXV6T5G
NSBC123JPDXV6T5G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-563-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mo...
NSVB123JPDXV6T1G
NSVB123JPDXV6T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-563-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mo...
MJE2955
MJE2955,晶体管,三极管,TO-220-3L封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=10000mA,BVcbo=70V,BVceo=60V,BVebo=5V,hfe(Min)=20,hfe(Max)=100,Vce(sat)=8V,fr=2MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2DD1621T-13
2DD1621T-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:25 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:200@0.1A@2V|65@1.5A@2V; 最大工作频率:300(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电...
QST9TR
QST9TR,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:TSMT-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:270@100mA@2V; 最大工作频率:320(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.35@25mA@500mA V...
PUMT1,115
PUMT1,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TSSOP-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:120@1mA@6V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@5mA@50mA V...
RN2903,LF(CT)
RN2903,LF(CT),数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:US-6,参数:配置:Dual; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:70@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价...
ULN2004AINSRG4
ULN2004AINSRG4,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOP-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@250uA@100mA|1.3@350uA@200mA|1.6@500uA@350mA ...
2SA1160
2SA1160,晶体管,三极管,TO-92L封装,参数为:Pcm=900mW,Ic=2000mA,BVcbo=20V,BVceo=10V,BVebo=6V,hfe(Min)=140,hfe(Max)=600,Vce(sat)=0.5V,fr=140+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TIP31BG
TIP31BG,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:25@1A@4V|10@3A@4V; 最大工作频率:3(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1.2@375mA@3...
C1815
C1815,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=400mW,Ic=150mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=700,Vce(sat)=0.25V,fr=80MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SA1611
2SA1611,贴片晶体管,三极管,SOT-323封装,参数为:Pcm=150mW,Ic=100mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=90,hfe(Max)=600,Vce(sat)=0.3V,fr=180+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NSV40200LT1G
NSV40200LT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:250@10mA@2V|200@1A@2V|180@1A@2V|150@2A@2V; 最大工作频率:100(Min) ...
BC848CE6327HTSA1
BC848CE6327HTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:420@2mA@5V; 最大工作频率:250(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0...
BCX5316-13R
BCX5316-13R,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:25@5mA@2V|40@150mA@2V|25@500mA@2V|100@150mA@2V; 最大集电极发射极...
BDW93CFP
BDW93CFP,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220FP-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:12 A; 最小DC直流电流增益:100@10A@3V|750@5A@3V|1000@3A@3V; 最大集电...
2SC5658T2LQ
2SC5658T2LQ,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:VMT-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:120@1mA@6V; 最大工作频率:180(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@5mA@50mA...
2N5088TA
2N5088TA,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:300@10uA@5V|350@1mA@5V|300@10mA@5V; 最大工作频率:50(Min) MHz;...
MUN2138T1G
MUN2138T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SC-59-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:160@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购...
NJVMJD2955T4G
NJVMJD2955T4G,功率晶体管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:20@4A@4V|5@10A@4V; 最大工作频率:2(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@0.4A...