BFU730LXZ,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-883C-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:3 V; 最大DC直流集电极电流:0.03 A; 最小DC直流电流增益:205@2mA@2V; 最大集电极基极电压:10 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 最大功率耗散:160...
ULN2003AFWGSCELM,三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:SOL-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@350mA|1.3@2...
DTC123YCA,NPN贴片数字晶体管,由ROHM原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=200mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=33,Vo(on)=0.3V,R1=2.2K+欧姆,R2=10K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FJP2160DTU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-220-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:800 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:20@0.4A@3V|20@5mA@10V; 最大工作频率:5(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电...
2DB1182Q-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:TO-252-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:32 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:120@0.5A@3V; 最大工作频率:110(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.8@0.2A@...
NSVBC857BLT3G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:220@2mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA@10mA|0.65@5mA@100mA V...
ACS110-7SN,AC线路开关,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-223-4,参数:分类:AC Line Switch; 引脚数目:4; 工作温度:-30 to 125 ℃; 所属系列:ACS110-7SN; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-838975...
STC03DE220HV,混合型发射极开关双极晶体管,品牌:ST Micro,封装:TO-247-4,参数:分类:Hybrid Emitter Switched Bipolar Transistor; 引脚数目:4; 工作温度:-40 to 125 ℃; 所属系列:STC03DE220HV; 安装方式:Through ...
PBSS4240ZF,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:300@1mA@5V|300@500mA@5V|200@1A@5V|75@2A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0....
2SD794,晶体管,三极管,TO-126C封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=3000mA,BVcbo=70V,BVceo=45V,BVebo=5V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=320,Vce(sat)=2V,fr=60+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SA1586-Y(TE85L,F),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:USM-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:120@2mA@6V; 最大工作频率:80(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3...
PDTB123YUX,数字晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:500 mA; 最小DC直流电流增益:70@50mA@5V; 工作温度:-55 to 175 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报...
2SB1316TL,三极管,达林顿管,品牌:Rohm,封装:CPT-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:1000@1A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@1mA@1A V; 最大集电极基极电压:100 V; ...
KSC5019,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=750mW,Ic=2000mA,BVcbo=30V,BVceo=10V,BVebo=6V,hfe(Min)=140,hfe(Max)=600,Vce(sat)=0.5V,fr=150+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STL73D,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:10@0.6A@3V|4@1.2A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@60mA@0.3...
START499ETR,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-343-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:4.5 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:160(Typ)@160mA@4V; 最大工作频率:42000 MHz; 最大集...
MJE340,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-32-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:30@50mA@10V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@10mA@100mA V; 最大...
BC847A,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:110@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@0.5mA@...
DMB54D0UV-7,N沟道增强型MOSFETPNP晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-563-6,参数:分类:N-Channel Enhancement Mode MOSFET Plus PNP Transistor; 引脚数目:6; 工作温度:-55 to 150 ℃; 所属系列:DMB54D0UV; 安装...
DTC123YE,NPN贴片数字晶体管,由ROHM原厂生产,SOT-523封装,参数为:Pd=150mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=33,Vo(on)=0.3V,R1=2.2K+欧姆,R2=10K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
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