1N6057
1N6057, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 45V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 18.6 A; 最大反向漏电流: 5 u...
1N6057A
1N6057A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 47V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 19.5 A; 最大反向漏电流: 5 ...
1N6058
1N6058, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 48V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 16.9 A; 最大反向漏电流: 5 u...
1N6058A
1N6058A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 53V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 17.7 A; 最大反向漏电流: 5 ...
1N6059
1N6059, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 55V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 15.3 A; 最大反向漏电流: 5 u...
1N6059A
1N6059A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 58V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 16.3 A; 最大反向漏电流: 5 ...
1N6060
1N6060, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 60V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 13.9 A; 最大反向漏电流: 5 u...
1N6060A
1N6060A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 64V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 14.6 A; 最大反向漏电流: 5 ...
1N6061
1N6061, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 66V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 12.7 A; 最大反向漏电流: 5 u...
1N6061A
1N6061A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 70V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 13.3 A; 最大反向漏电流: 5 ...
1N6062
1N6062, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 73V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 11.4 A; 最大反向漏电流: 5 u...
1N6062A
1N6062A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 75V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 12 A; 最大反向漏电流: 5 uA...
1N6063
1N6063, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 81V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 10.4 A; 最大反向漏电流: 5 u...
1N6063A
1N6063A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 82V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 11 A; 最大反向漏电流: 5 uA...
1N6064
1N6064, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 90V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 9.5 A; 最大反向漏电流: 5 uA...
1N6064A
1N6064A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 94V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 9.9 A; 最大反向漏电流: 5 u...
1N6065
1N6065, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 95V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 8.5 A; 最大反向漏电流: 5 uA...
1N6065A
1N6065A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 100V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 8.9 A; 最大反向漏电流: 5 ...
1N6066
1N6066, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 105V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 7.8 A; 最大反向漏电流: 5 u...
1N6066A
1N6066A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 110V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 8.2 A; 最大反向漏电流: 5 ...