SMCJ6063, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 81V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 10.4 A; 最大反向漏电流...
1N6385-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 15V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 60 A; 最大反向漏电流: 2 uA;...
P6KE10ARLG, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 8.55V 600W,品牌:ON,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 41 A; 最大反向漏电流: 10 uA;...
SMLJ58A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 58V 3KW,品牌:Bourns,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 32 A; 最大反向漏电流:...
1N6282AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 25.6V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 36.2 A; 最大反向漏电流...
SMCJ220CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: S...
1N6106AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7.6V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 34.5 A; 最大反向漏电流...
1.5KE91CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 77.8V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 12 A; 最大反向漏电流: ...
1N6271AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 8.55V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 103 A; 最大反向漏电流:...
1.5KE15A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12.8V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 70.8 A; 最大反向漏电...
MAX13202EALT+,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Maxim,封装:UDFN-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±30@Air Gap/±12@Contact Disc/±15@HBM kV; 最大...
SMBJ40A-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 40V 600W,品牌:Diodes,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 9.3 A; 最大反向漏电流: 5 u...
TPSMP20AHM3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 17.1V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-220AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 14.4 A; 最大反向漏...
1N6147A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 12.2V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 67.3 A; 最大反向漏电流...
1V5KE22A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 18.8V 1.5KW,品牌:Fairchild,封装:DO-201AE,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 49 A; 最大反向漏...
1SMB7.0AT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 7V 600W,品牌:ON,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 50 A; 最大反向漏电流: 500 uA; 最大...
SA16AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 16V 500W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 19.2 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
TPD2E1B06DRLR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:SOT-6,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Dual; 引脚数量:6; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:15(Typ) V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:15@Air|10@Contact Dis...
SMBJ40AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 40V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 9.3 A; 最大反向漏电流...
SM4T39CAY, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 33V 400W,品牌:ST,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 33 A; 最大反向漏电流: 0.2 uA; 最大钳位电...
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