1N5907, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 120 A; 最大反向漏电流: 300...
SMCJ6042, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 10V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 79 A; 最大反向漏电流: ...
SMC3K70CA-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Directional 70V 3KW,品牌:Vishay,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 26.5 A; ...
SMBJ8.0CA-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 8V 600W,品牌:Diodes,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 44.1 A; 最大反向漏电流: 100...
SMAJ5.0A-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5V 400W,品牌:Diodes,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 43.5 A; 最大反向漏电流: 80...
1N6385-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 15V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 60 A; 最大反向漏电流: 2 uA;...
P4KA6.8HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5.5V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 37 A; 最大反向漏电流: ...
SMCJ16A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 16V 1.5KW,品牌:Bourns,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 57.7 A; 最大反向...
SZNUP4301MR6T1G,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:ON,封装:SC-74-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc kV; 最大工作电压:70 V; ...
SMCJ6063E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 81V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 10.4 A; 最大反向漏...
SMAJ24CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 24V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 10.3 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
CD214B-T20ALF, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 20V 600W,品牌:Bourns,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 18.5 A; 最大反向漏电流: 5...
SA60CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 60V 500W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.2 A; 最大反向漏电流: 1 uA; ...
TPD2E007YFMRG4,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:PicoStar-4,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:4; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc/±15@HBM kV; 最...
1.5KE75A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 64.1V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 14.6 A; 最大反向漏电...
PUSB3F96X,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:NXP,封装:DFN-10,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Quad; 引脚数量:10; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:4.6(Typ) V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:15@Air Gap|10@Contac...
SMBJ300E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Su...
1N646-1, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 315 A; 最大反向漏电流: 30...
SZ1SMB13AT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Direction 13V 600W,品牌:ON,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 27.9 A; 最大反向漏电流: ...
LC7.5, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 7.5V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 100 A; 最大反向漏电流: 10...
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