1N6062A
1N6062A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 75V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 12 A; 最大反向漏电流: 5 uA...
1.5KE120A-E3
1.5KE120A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 102V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 9.1 A; 最大反向漏电流...
TA6F10AHM3
TA6F10AHM3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Directional 8.55V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-221AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 41.4 A...
LC03-6.TBT
LC03-6.TBT,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Semtech,封装:SOIC-8,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:8; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:20 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc kV;...
MMBZ16VALT1G
MMBZ16VALT1G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Dual Common Anode Uni-Directional 13V 40W,品牌:ON,封装:3SOT-23,参数:配置: Dual Common Anode; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 40 W; 最...
SMCJLCE6.5A
SMCJLCE6.5A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 6.5V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 100 A; 最大...
1.5KE12CAHE3
1.5KE12CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 10.2V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 89.8 A; 最大反向漏电流...
SMBJ26CA-E3
SMBJ26CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 26V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 14.3 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
SZ1SMB30AT3G
SZ1SMB30AT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 30V 600W,品牌:ON,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 12.4 A; 最大反向漏电流: 5 uA; ...
P6KE160CA
P6KE160CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 136V 600W,品牌:Fairchild,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 2.7 A; 最大反向漏电流: 5 ...
1.5KE18CA-B
1.5KE18CA-B, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 15.3V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 59.5 A; 最大反向漏电流...
P2SMA200A-M3T
P2SMA200A-M3T, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 171V 200W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 200 W; 最大峰值脉冲电流: 274 A; 最大反向漏电流: 1...
SMLJ36C
SMLJ36C, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 36V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 46.6 A; 最大反向漏电流: 2...
MMAD1103/TR13
MMAD1103/TR13,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Microsemi,封装:SOIC-14,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:14; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:8; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc kV; 最大工作电压:...
SMBG10A-E3
SMBG10A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 10V 600W,品牌:Vishay,封装:SMBG,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 35.3 A; 最大反向漏电流: 5 u...
TMPG06-15AHE3
TMPG06-15AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12.8V 400W,品牌:Vishay,封装:2Case MPG06,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 18.9 A; ...
5KP8.0CE3
5KP8.0CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 8V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 333 A; 最大反向漏电流: 1...
P6SMB100CA-E3
P6SMB100CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 85.5V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 4.4 A; 最大反向漏电流: 1 ...
SMAJ9.0CE3
SMAJ9.0CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 9V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 29.5 A; 最大反向漏电流:...
SMCG5.0CAHE3
SMCG5.0CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMCG,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 163 A; 最大反向漏电流: 200...