SMBJ22E3
SMBJ22E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 22V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 15.2 A; 最大反向漏电流...
1N6124US
1N6124US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 42.6V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.5 A; 最大反向漏电流:...
SM6T200AHE3
SM6T200AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 171V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 11.3 A; 最大反向漏电流: 1 ...
BZW04-8V5HE3
BZW04-8V5HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 8.55V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 27.6 A; 最大反向...
P6KE300CA-E3
P6KE300CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 256V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 1.4 A; 最大反向漏电流: 1 ...
P6KE8V2A-B
P6KE8V2A-B, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 7.02V 600W,品牌:Diodes,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 50 A; 最大反向漏电流: 20...
P6KE39CA-E3
P6KE39CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 33.3V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 11.1 A; 最大反向漏电流: 1...
RF1901-000
RF1901-000,聚合物ESD静电抑制器,品牌:TE,封装:3-Pin,参数:类型:Polymer; 引脚数量:3; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:15@HBM kV; 电容值:4200(Typ) pF; 最低工作温度:-40 ℃; 最大工作温度:85 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:07...
P6KE180A
P6KE180A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 154V 600W,品牌:Fairchild,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 2.4 A; 最大反向漏电流: 5...
P6SMB75AT3G
P6SMB75AT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 64.1V 600W,品牌:ON,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 5.8 A; 最大反向漏电流: 5 uA; ...
SMBJ58E3
SMBJ58E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 58V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 5.8 A; 最大反向漏电流:...
MMAD1108/TR13
MMAD1108/TR13,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Microsemi,封装:SOIC-16,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:16; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:8; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc kV; 最大工作电压:...
DVIULC6-4SC6Y
DVIULC6-4SC6Y,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-23-6,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Quad; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:17 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±18@Ai...
1SMA20CAT3G
1SMA20CAT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 20V 400W,品牌:ON,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 12.3 A; 最大反向漏电流: 2.5 uA; 最...
SMBJ100A-13
SMBJ100A-13, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 100V 600W,品牌:Diodes,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 3.7 A; 最大反向漏电流: 5 u...
CD1005-T24C
CD1005-T24C, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 24V,品牌:Bourns,封装:2SMD,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 最大峰值脉冲电流: 1 A; 最大反向漏电流: 2 uA; 最大钳位电压: 47 V; 最大反向关态电压:...
SZ1SMB22AT3G
SZ1SMB22AT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 22V 600W,品牌:ON,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 16.9 A; 最大反向漏电流: 5 uA; ...
P2SMA180A-M3T
P2SMA180A-M3T, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 154V 200W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 200 W; 最大峰值脉冲电流: 246 A; 最大反向漏电流: 1...
PJLC1V5-4-R2-00001
PJLC1V5-4-R2-00001,稳压型ES抑制器,品牌:Panjit,封装:SOT-23-3,参数:类型:Zener; 配置:Single; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:7 V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:15@Air|8@Contact Disc kV;...
1N6110A
1N6110A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 11.4V 500W,品牌:Semtech,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 23.8 A; 最大反向漏电流: 20 u...