SMCJ78E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 78V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 10.8 A; 最大反向漏...
SA58CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 58V 500W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.3 A; 最大反向漏电流: 1 uA; ...
P4SMA9.1CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7.78V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 29.9 A; 最大反向漏电流: 1...
TPD4E004DRYR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:USON-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±12@Air Gap/±8@Contact Disc/±15@HBM kV; 最大漏电流:0...
CD214B-T7.0CALF, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7V 600W,品牌:Bourns,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 50 A; 最大反向漏电流: 400 ...
1N6158AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 35.8V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 23.2 A; 最大反向漏...
SMBJ16CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 16V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 23.1 A; 最大反向漏电流: ...
30KPA48AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 48V 30KW,品牌:Microsemi,封装:2P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 30000 W; 最大峰值脉冲电流: 371.3 A; 最大反向漏...
5KP130AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 130V 5KW,品牌:Vishay,封装:2Case P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 23.9 A; 最大反向漏...
SMB8J28CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 28V 800W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 800 W; 最大峰值脉冲电流: 17.6 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
SMLJ6.5E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 6.5V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 243.9 A; 最大反向...
P6KA36HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 29.1V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 11.5 A; 最大反向漏电流: 1...
P6KA15AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12.8V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 28.3 A; 最大反向漏电流: ...
SMBJ15AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 15V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 24 A; 最大反向漏电流:...
SMBJ40CA-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 40V 600W,品牌:Diodes,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 9.3 A; 最大反向漏电流: 5 uA...
SA12CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 12V 500W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 25.1 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
PJQA6V8-R2-00001,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Panjit,封装:SOT-23-6,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Array 5; 引脚数量:6; 方向类型:Bi-Directional; 每芯片单元数目:5; 最大工作电压:5 V; 最大漏电流:1 uA; 电容值:240 pF...
SMBJ100CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 100V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 3.4 A; 最大反向漏电流...
1N6283AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 28.2V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 32.8 A; 最大反向漏电流...
1N6150A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 16.7V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 49.2 A; 最大反向漏电流...
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