PESD15VS2UQ,115
PESD15VS2UQ,115,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:NXP,封装:SOT-663-3,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional|Bi-Directional; 最大钳位电压:40 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:30@Contact D...
SMCJ6060
SMCJ6060, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 60V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 13.9 A; 最大反向漏电流...
SMCJ15CA-M3
SMCJ15CA-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 15V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 61.5 A; 最大反向漏电流: 1 u...
SMCJ20CAE3
SMCJ20CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 20V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 46.3 A; 最大反向漏...
BZW04-33B-E3
BZW04-33B-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 33.3V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 7.4 A; 最大反向漏电流...
SA64CAHE3
SA64CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 64V 500W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 4.9 A; 最大反向漏电流: 1 uA; ...
SMA6J11A-E3
SMA6J11A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 11V 4KW,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 4000 W; 最大峰值脉冲电流: 172 A; 最大反向漏电流: 0.2 ...
SA60A-E3
SA60A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 60V 500W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.2 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
SMCG170AHE3
SMCG170AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 170V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMCG,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.5 A; 最大反向漏电流: ...
SMBG51A-E3
SMBG51A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 51V 600W,品牌:Vishay,封装:SMBG,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 7.3 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
1N6465
1N6465, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 24V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 69 A; 最大反向漏电流: 50 ...
5KP150E3
5KP150E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5R,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Thr...
SMAJ17AHE3
SMAJ17AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 17V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 14.5 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
PESD1LVDS,115
PESD1LVDS,115,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:NXP,封装:XSON-10,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:10; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±8@Contact Disc kV; 最大工作电压:5.5 V; 最大漏电流:1 u...
SMAJ170A-E3
SMAJ170A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 170V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 1.09 A; 最大反向漏电流: 1 ...
BZG04-16TR3
BZG04-16TR3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single 16V 300W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 10.6 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 28.4 V; 最大反向关态电压: 16...
RSAC16CST2RA
RSAC16CST2RA,稳压型ES抑制器,品牌:Rohm,封装:VMN-2,参数:类型:Zener; 引脚数量:2; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:1; 最大漏电流:0.1 uA; 电容值:0.3(Typ) pF; 最低工作温度:-55 ℃; 最大工作温度:150 ℃; 安装方式:Sur...
SMA5J30CAHE3
SMA5J30CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 30V 500W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 10.3 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
1N6044
1N6044, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 12V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 64 A; 最大反向漏电流: 5 uA;...
LC05-6.TBT
LC05-6.TBT, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Quad Uni-Dir 6V 2KW,品牌:Semtech,封装:SOIC-16,参数:配置: Quad; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 2000 W; 最大峰值脉冲电流: 100 A; 最大反向漏电流: 15 uA...