SMBJ180CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Su...
PTVS48VP1UP,115, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 48V 600W,品牌:NXP,封装:SOD-128,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 7.8 A; 最大反向漏电流:...
SMBJ12CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 12V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 27.3 A; 最大反向漏电流:...
SMCJ70CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 70V 1.5KW,品牌:Fairchild,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 13.3 A; 最大反向漏电流...
P6SMB120A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 102V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 3.6 A; 最大反向漏电流: 1 ...
CD214A-T40CALF, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 40V 400W,品牌:Bourns,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 6.2 A; 最大反向漏电流...
LC03-6.TBT,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Semtech,封装:SOIC-8,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:8; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:20 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc kV;...
SA26AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 26V 500W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 11.9 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
1N6049A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 22V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 40 A; 最大反向漏电流: 5 uA...
BZW06-28, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 28.2V 600W,品牌:ST,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 68 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大...
SMBJ160AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 160V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 2.3 A; 最大反向漏电流: 1 u...
TPD4E001DBVR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:SOT-23-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc/±...
SMCJ5657E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 81V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 10.4 A; 最大反...
SM6T36A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 30.8V 600W,品牌:ST,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 62 A; 最大反向漏电流: 0.2 uA; 最大钳...
SMPC18A-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 18V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:3SMPC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 51.4 A; 最大反向漏电流: ...
5KP120AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 120V 5KW,品牌:Vishay,封装:2Case P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 25.9 A; 最大反向漏...
1N6283AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 28.2V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 32.8 A; 最大反向漏电流...
LC100, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 100V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 8.4 A; 最大反向漏电流: 10...
SMAJ15A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 15V 400W,品牌:Bourns,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 16.4 A; 最大反向漏电流: 5 ...
USB6B1,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:STMicroelectronics,封装:SO-8 N,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:8; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc kV; 最大漏电流:1...
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