FB10R06KL4G_B1
FB10R06KL4G_B1,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:22-Pin EASY2,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:22; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:15 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755...
IRG4PH40UPBF
IRG4PH40UPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:41 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
FS75R12KE3
FS75R12KE3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:28-Pin ECONO 2,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:28; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:105 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755...
DDB6U75N16W1R
DDB6U75N16W1R,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:Module-11,参数:配置:Single; 通道类型:N; 引脚数目:11; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:69 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,...
SKP02N60XKSA1
SKP02N60XKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:6 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83...
IRGP4740D
IRGP4740D,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=650V,Ic@100C=40A,Vce(ON)@25C typ=1.7V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7501
IRF7501,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,Micro 8封装,参数为:VBrdss=20V,VGs Max=12V,RDS(on) Max 4.5V=135mOhms,Rth(JA)=100C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFP4227
IRFP4227,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=200V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=25.0mOhms,Id=65A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IGW03N120H2FKSA1
IGW03N120H2FKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:9.6 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:075...
BSM100GAL120DLCK,
BSM100GAL120DLCK,,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:7-Pin 34MM,参数:配置:Single; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:205 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电...
IRFH3702
IRFH3702,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3 x 3封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.1mOhms,Id=42A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4BC20KDSTRRP
IRG4BC20KDSTRRP,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:16 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
STGW40V60F
STGW40V60F,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to...
IRFP4868
IRFP4868,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=300V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=32.0mOhms,Id=70A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FP15R12W2T4BOMA1
FP15R12W2T4BOMA1,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:36-Pin EASY2B,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:36; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:30 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw; 工作温度:-40 t...
ATF-36163-TR2G
ATF-36163-TR2G,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:SOT-363-6,参数:配置:Single Quad Source; 最大漏源电压:3 V; 最大连续漏极电流:40 mA; 最大门源电压:-3 V; 最大漏极栅极电压:-3.5 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface ...
IRF5801PBF-1
IRF5801PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TSOP-6 (Micro 6)封装,参数为:VBrds=200V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=2.2mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4PH20K
IRG4PH20K,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=1200V,Ic@100C=5A,Vce(ON)@25C typ=3.17V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGP14NC60KD
STGP14NC60KD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:25 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报...
IRLHM620
IRLHM620,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3封装,参数为:VBrds=20V,VGs=12V,Id=40A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562