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STGB19NC60KDT4

STGB19NC60KDT4,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:35 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,...

STGB20V60F

STGB20V60F,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount; 工作温度:-55 to...

NE3509M04-T2-A

NE3509M04-T2-A,场效应晶体管,品牌:NEC,封装:Thin-Type Super Mini-Mold-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:60 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式...

IRF6616

IRF6616,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562