IRFP1405
IRFP1405,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.3mOhms,Id=160A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7240
IRF7240,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=15.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=25.0mOhms,Qg Typ=73.0nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:07...
IRG4BC20KDSTRLP
IRG4BC20KDSTRLP,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:16 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
IRL520NS
IRL520NS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=180.0mOhms,Id=10A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BSM300GB120DLC
BSM300GB120DLC,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:7-Pin 62MM,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:625 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755...
BSM150GT120DN2
BSM150GT120DN2,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:39TRIPACK,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:39; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:200 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 库存实时更新,询报价及购买请致...
IRFS4020
IRFS4020,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=105.0mOhms,Id=18A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4BC10UDPBF
IRG4BC10UDPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:8.5 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838975...
IRF4905S
IRF4905S,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=20.0mOhms,Qg Typ=120.0nC,Rth(JC)=0.75K/W,Power Dissipation@TC 25C=170W,Id@TC 25C=-74...
FS100R12KE3_B3
FS100R12KE3_B3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:32-Pin ECONO 3,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:32; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:140 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:...
RJH60M3DPE-00#J3
RJH60M3DPE-00#J3,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Renesas,封装:LDPAK(S)-1-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:35 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0...
BSM400GA170DL C#
BSM400GA170DL C#,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:4-Pin 62MM,参数:配置:Single Dual Emitter; 通道类型:N; 引脚数目:4; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:800 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Scre...
RJH60M3DPQ-E0#T2
RJH60M3DPQ-E0#T2,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Renesas,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:35 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 150 ...
IRFP4310Z
IRFP4310Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.0mOhms,Id=134A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BF861A,215
BF861A,215,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:25 V; 最大门源电压:25 V; 最大漏极栅极电压:25 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83...
IRGP4790
IRGP4790,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=650V,Ic@100C=90A,Vce(ON)@25C typ=1.7V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PMBFJ174,215
PMBFJ174,215,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 沟道类型:P沟道; 最大漏源电压:30 V; 最大连续漏极电流:135 mA; 最大门源电压:30 V; 最大漏极栅极电压:30 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount...
IRFH8318
IRFH8318,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.1mOhms,Id=120A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF1018ES
IRF1018ES,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.4mOhms,Id=79A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFL4310
IRFL4310,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SOT-223封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=200.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562