登录
注册账号
|
忘记密码
社交账号登录
首页
产品展示
集成电路(IC)
单片机(微控制器)
逻辑IC
运算放大器(运放)
数据转换器(模数转换)
可编程逻辑器件(FPGA-CPLD)
数字信号处理器(DSP)
电源管理IC
RF射频IC及微波元器件
二极管
开关二极管
稳压二极管
肖特基二极管
PIN二极管
TVS二极管
变容二极管
整流二极管-整流桥堆
三极管
通用三极管
达林顿管
数字晶体管
功率晶体管
其它三极管
场效应管(MosFET)
N沟道场效应管
P沟道场效应管
双N-双P沟道MOS管
IGBT管-IGBT模块
其它场效应管
开关元件
可控硅(晶闸管)
光电耦合器(光耦)
整流器(整流管)
继电器
传感器
光电传感器(槽型开关)
霍尔传感器
声波传感器
气敏传感器
力敏传感器(压力传感器)
热释电红外传感器(PIR)
温度-湿度传感器
其它
光电器件
光电收发器
硅光电池-光电二极管
其它
保护器件(TVS-ESD)
压电晶体,频率元件(晶振)
连接器,接插件
LED显示器件
电容器
三星贴片电容(MLCC)
贴片钽电容
电阻器
电感器
其它产品
优势推荐
每日一推
选型手册
联系我们
搜索
热搜型号
2025
2024
2026
5CGXFC9C6F23I7N
在线支持:
搜索结果:
1
相关的内容
【功率晶体管】HN1A01FU-Y,LF
HN1A01FU-Y,LF,功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:US-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:120@2mA@6V; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@10mA@100mA V; 最大集电极基极电压:5...
【功率晶体管】HN1B01FU-GR,LF
HN1B01FU-GR,LF,功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:US-6,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:120@2mA@6V; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@10mA@100mA@NPN|0.3@...
【功率晶体管】HN1B04F(TE85L,F)
HN1B04F(TE85L,F),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:SM-6,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:25@400mA@6V|70@100mA@1V; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@10mA@...
【功率晶体管】HN1B04FU-GR(L,F,T)
HN1B04FU-GR(L,F,T),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:US-6,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@6V; 最大工作频率:150(Typ)@NPN|120(Typ)@PNP ...
【功率晶体管】HN1B04FU-GR(TE85LF)
HN1B04FU-GR(TE85LF),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:US-6,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@6V; 最大工作频率:150(Typ)@NPN|120(Typ)@PNP...
【功率晶体管】HN1B04FU-GR,LF
HN1B04FU-GR,LF,功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:US-6,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:120@2mA@6V; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@10mA@100mA@NPN|0.3@...
【功率晶体管】HN1C01F-GR(TE85L,F)
HN1C01F-GR(TE85L,F),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:SOT-26-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:120@2mA@6V; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@2mA@0.1A V; 最大...
【功率晶体管】HN1C01FU-GR(L,F,T)
HN1C01FU-GR(L,F,T),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:SSOP-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@6V; 最大工作频率:80(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0....
【功率晶体管】HN1C01FU-GR(R,F,T)
HN1C01FU-GR(R,F,T),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:SSOP-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@6V; 最大工作频率:80(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0....
【功率晶体管】HN1C01FU-GR(T5L,F)
HN1C01FU-GR(T5L,F),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:SSOP-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@6V; 最大工作频率:80(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0....
【功率晶体管】HN1C01FU-GR,LF
HN1C01FU-GR,LF,功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:US-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:120@2mA@6V; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@10mA@100mA V; 最大集电极基极电压...
【功率晶体管】HN1C01FU-YTE85LF
HN1C01FU-YTE85LF,功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:SSOP-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:120@2mA@6V; 最大工作频率:80(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25...
【功率晶体管】HN1C03F-B(TE85L,F)
HN1C03F-B(TE85L,F),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:SM-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:0.3 A; 最小DC直流电流增益:350@4mA@2V; 最大工作频率:30(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.1@3...
【功率晶体管】HN1C03FU-B(TE85L,F)
HN1C03FU-B(TE85L,F),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:US-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:0.3 A; 最小DC直流电流增益:200@4mA@2V; 最大工作频率:30(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.1@...
【功率晶体管】HN3A51F(TE85L,F)
HN3A51F(TE85L,F),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:SM-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:120 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@6V; 最大工作频率:100(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@1...
【功率晶体管】IMT17-7
IMT17-7,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-26-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:120@100mA@3V; 最大工作频率:200(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.6@50mA@5...
【功率晶体管】IMT17T110
IMT17T110,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:120@100mA@3V; 最大工作频率:200(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.6@50mA@500m...
【功率晶体管】IMT18T110
IMT18T110,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:270@10mA@2V; 最大工作频率:260(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@10mA@200m...
【功率晶体管】IMT1AT108
IMT1AT108,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:120@1mA@6V; 最大工作频率:140(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@5mA@50mA V...
【功率晶体管】IMT1AT110
IMT1AT110,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:120@1mA@6V; 最大工作频率:140(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@5mA@50mA V...
上一页
454
455
456
457
458
459
460
461
462
463
464
465
466
467
468
469
470
471
472
下一页