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HN1B04FU-GR(TE85LF)

HN1B04FU-GR(TE85LF),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:US-6,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@6V; 最大工作频率:150(Typ)@NPN|120(Typ)@PNP MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@10mA@100mA@NPN|0.3@10mA@100mA@PNP V; 最大集电极基极电压:60@NPN|50@PNP V; 工作温度:-55 to 125 ℃; 最大功率耗散:200 mW; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562

  • Description:Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 6-Pin US T/R
  • 品牌:Toshiba
  • 封装:US-6
  • 描述:功率晶体管,参数:Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A
  • DataSheet:数据手册 pdf

电气特性 Features

Type:NPN|PNP
Pin Count:6
Maximum Collector Emitter Voltage:50 V
Maximum DC Collector Current:0.15 A
Minimum DC Current Gain:200@2mA@6V
Maximum Operating Frequency:150(Typ)@NPN|120(Typ)@PNP MHz
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:0.25@10mA@100mA@NPN|0.3@10mA@100mA@PNP V
Maximum Collector Base Voltage:60@NPN|50@PNP V
Operating Temperature:-55 to 125 ℃
Maximum Power Dissipation:200 mW
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
  • Description:Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 6-Pin US T/R
  • 品牌:Toshiba
  • 封装:US-6
  • 描述:功率晶体管,参数:Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A
  • DataSheet:数据手册 pdf

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