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HN3A51F(TE85L,F)

HN3A51F(TE85L,F),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:SM-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:120 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@6V; 最大工作频率:100(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@1mA@10mA V; 最大集电极基极电压:120 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 最大功率耗散:300 mW; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562

  • Description:Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 6-Pin SM T/R
  • 品牌:Toshiba
  • 封装:SM-6
  • 描述:功率晶体管,参数:Trans GP BJT PNP 120V 0.1A
  • DataSheet:数据手册 pdf

电气特性 Features

Type:PNP
Pin Count:6
Maximum Collector Emitter Voltage:120 V
Maximum DC Collector Current:0.1 A
Minimum DC Current Gain:200@2mA@6V
Maximum Operating Frequency:100(Typ) MHz
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:0.3@1mA@10mA V
Maximum Collector Base Voltage:120 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Maximum Power Dissipation:300 mW
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
  • Description:Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 6-Pin SM T/R
  • 品牌:Toshiba
  • 封装:SM-6
  • 描述:功率晶体管,参数:Trans GP BJT PNP 120V 0.1A
  • DataSheet:数据手册 pdf

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