搜索结果：1相关的内容
-
【N沟道场效应管】IRF6810S
IRF6810S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET S1封装,参数为:VBrds=25V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=5.2mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRLU3103
IRLU3103,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=19mOhms,Id=29A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRFH8318
IRFH8318,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.1mOhms,Id=120A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF6811S
IRF6811S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET SQ封装,参数为:VBrds=25V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=3.7mOhms,Id=74A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRLR3717
IRLR3717,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=20V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.2mOhms,Id=120A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRFHM831
IRFHM831,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.8mOhms,Id=47A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF6201
IRF6201,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=20V,VGs=12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRFH5301
IRFH5301,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.85mOhms,Id=100A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF6711S
IRF6711S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET SQ封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.8mOhms,Id=84A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRLB3813
IRLB3813,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.95mOhms,Id=260A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF6718L2
IRF6718L2,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET L6封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=0.70mOhms,Id=270A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRLB8721
IRLB8721,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.7mOhms,Id=62A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRFH7914
IRFH7914,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 A封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.7mOhms,Id=35A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF1324
IRF1324,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=24V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.5mOhms,Id=353A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF6717M
IRF6717M,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.25mOhms,Id=220A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF1324S-7P
IRF1324S-7P,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak 7-Lead封装,参数为:VBrds=24V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.0mOhms,Id=429A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF6710S2
IRF6710S2,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET S1封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.9mOhms,Id=37A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF6721S
IRF6721S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET SQ封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.3mOhms,Id=60A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF8714
IRF8714,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.7mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF6714M
IRF6714M,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.1mOhms,Id=166A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562