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IRF6718L2,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET L6封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=0.70mOhms,Id=270A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
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