1N6116
1N6116, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 20.6V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 13.4 A; 最大反向漏电流: 1...
1N6116A
1N6116A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 20.6V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 13.4 A; 最大反向漏电流: ...
1N6117
1N6117, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 22.8V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 12 A; 最大反向漏电流: 1 u...
1N6117A
1N6117A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 22.8V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 12 A; 最大反向漏电流: 1 ...
1N6118
1N6118, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 25.1V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 10.9 A; 最大反向漏电流: 1...
1N6118A
1N6118A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 25.1V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 10.9 A; 最大反向漏电流: ...
1N6119A
1N6119A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 27.4V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 10 A; 最大反向漏电流: 1 ...
1N6120
1N6120, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 29.7V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 9.3 A; 最大反向漏电流: 1 ...
1N6120A
1N6120A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 29.7V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 9.3 A; 最大反向漏电流: 1...
1N6121A
1N6121A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 32.7V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 8.5 A; 最大反向漏电流: 1...
1N6122A
1N6122A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 35.8V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 7.7 A; 最大反向漏电流: 1...
1N6123A
1N6123A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 38.8V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 7.1 A; 最大反向漏电流: 1...
1N6124
1N6124, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 42.6V 500W,品牌:Semtech,封装:2Case G-95,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.2 A; 最大反向漏电流: 1...
1N6124A
1N6124A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 42.6V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.5 A; 最大反向漏电流: 1...
1N6125
1N6125, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 47.1V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.9 A; 最大反向漏电流: 1 ...
1N6125A
1N6125A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 47.1V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.9 A; 最大反向漏电流: 1...
1N6126A
1N6126A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 51.7V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.1 A; 最大反向漏电流: 1...
1N6127A
1N6127A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 56V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 4.8 A; 最大反向漏电流: 1 u...
1N6128
1N6128, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 62.2V 500W,品牌:Semtech,封装:2Case G-95,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 4.2 A; 最大反向漏电流: 1...
1N6128A
1N6128A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 62.2V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 4.4 A; 最大反向漏电流: 1...