CD143A-SR2.8,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Bourns,封装:SOT-143-4,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:4; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:8.5 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±30@Air Gap/±30@Contact Di...
P6KE15A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12.8V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 28.3 A; 最大反向漏电流: ...
P6KE6.8AG, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5.8V 600W,品牌:ON,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 57 A; 最大反向漏电流: 1000 uA;...
P4KE100A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 85.5V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 2.9 A; 最大反向漏电...
SMBJ3V3HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 3.3V 600W,品牌:Vishay,封装:SMBJ,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 200 A; 最大反向漏电流: 200...
SMBJ350CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Sur...
5KP28CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 28V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 110 A; 最大反向漏电流: ...
BZG04-9V1TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single 9.1V 300W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 19.1 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 15.7 V; 最大反向关态电压: 9...
D5V0X1B2LP-7B, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Directional 5.5V,品牌:Diodes,封装:DFN-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 最大峰值脉冲电流: 1.5 A; 最大反向漏电流: 0.1 uA; 最大钳位电压:...
SMBG26AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 26V 600W,品牌:Vishay,封装:SMBG,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 14.3 A; 最大反向漏电流: 1 u...
SMCG8.5AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 8.5V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMCG,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 104.2 A; 最大反向漏电流...
TA6F24AHM3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Directional 20.5V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-221AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 18.1 A...
DVIULC6-4SC6,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-23-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:17 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±15@Air Gap/±15@...
CD214C-T90ALF, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 90V 1.5KW,品牌:Bourns,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 10.3 A...
SM6T68CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 58.1V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 33 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
1N6148AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 13.7V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 59.8 A; 最大反向漏...
SMCJ5636A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 11.1V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 82 A; 最大反向...
P4SMA100CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 85.5V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 2.2 A; 最大反向漏电流: 1 ...
SMCJ6061A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 70V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 13.3 A; 最大反向漏电...
1N6303E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 146V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 1,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.8 A; 最大反向漏电...
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