SMBJ48CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 48V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 7.8 A; 最大反向漏电流: 1 uA; ...
CM1263-06DE,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:ON,封装:UDFN-12 EP,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:12; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:9.96(Typ) V; 每芯片单元数目:6; ESD保护电压:±15(Min)@Air Gap/±8(Min...
P6KE36CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 30.8V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 12 A; 最大反向漏电流: 1 u...
SMLJ9.0AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 9V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 194.8 A; 最大反向漏...
5KP200CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Thro...
TBU-CA025-500-WH,ESD静电抑制器,品牌:Bourns,封装:DFN-3,参数:配置:Single; 引脚数量:3; 方向类型:Bi-Directional; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:±2@HBM kV; 最大工作电压:100 V; 最低工作温度:-55 ℃; 最大工作温度:125 ℃; ...
STIEC45-24AS,ESD静电抑制器,品牌:STMicroelectronics,封装:DO-214AB-2,参数:引脚数量:2; 最大钳位电压:42 V; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc/25@HBM KV; 最大工作电压:24 V; 最大漏电流:0.2 uA; 最低工作温度...
P4KA20HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 16.2V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 13.7 A; 最大反向漏电流...
LC75A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 75V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 12.4 A; 最大反向漏电流: 10...
SM1612CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Octal Bi-Dir 12V 300W,品牌:Microsemi,封装:SOIC-16,参数:配置: Octal; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
SMLJ6.5E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 6.5V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 243.9 A; 最大反向...
SESD0201X1UN-0020-090,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TE,封装:DFN-2,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:2; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:9.2 V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:20@Air Gap/20@Contact Dis...
LDP01-50AY, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 43V,品牌:ST,封装:3D2PAK,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 最大峰值脉冲电流: 900 A; 最大反向漏电流: 100 uA; 最大钳位电压: 81 V; 最大反向关态...
5KP11CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 11V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 274 A; 最大反向漏电流: ...
SMCJ20CA-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 20V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 46.3 A; 最大反向漏电流: 1 u...
P6KA11HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 8.92V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 37 A; 最大反向漏电流: 5 u...
TPD3E001DRLR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:SOT-5,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:5; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:3; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc/±15@...
P6KE33CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 28V 600W,品牌:ST,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 68 A; 最大反向漏电流: 500 uA; 最大钳位...
1.5SMC43CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 36.8V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 25.3 A; 最大反向漏电流:...
SMBJ40CA-TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 40V 600W,品牌:ST,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 48 A; 最大反向漏电流: 0.2 uA; 最大钳...
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