1.5KE400A-T
1.5KE400A-T, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 342V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 4 A; 最大反向漏电流: ...
P6KE300CA-T
P6KE300CA-T, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 256V 600W,品牌:Diodes,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 1.45 A; 最大反向漏电流: 5 ...
SM4T68AY
SM4T68AY, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 58V 400W,品牌:ST,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 19 A; 最大反向漏电流: 0.2 uA; 最大钳位...
SMLJ48E3
SMLJ48E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 48V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 35 A; 最大反向漏电流: ...
D1213A-04SO-7
D1213A-04SO-7,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Diodes,封装:SOT-26-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:10(Typ) V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact...
DRTR5V0U2SR-7
DRTR5V0U2SR-7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Dual Uni-Dir 5.5V 0.4W,品牌:Diodes,封装:4SOT-143,参数:配置: Dual; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 0.4 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向漏电流: 0....
D1213A-01SO-7
D1213A-01SO-7,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:10(Typ) V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact...
SMCJ75CA
SMCJ75CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 75V 1.5KW,品牌:Bourns,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 12.4 A; 最大反向漏...
P4KA30HE3
P4KA30HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 24.3V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 9.2 A; 最大反向漏电流:...
SMLJ51AE3
SMLJ51AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 51V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 36.4 A; 最大反向漏电...
SMCJ160AE3
SMCJ160AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 160V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.8 A; 最大反...
TPD2EUSB30DRTR
TPD2EUSB30DRTR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:SOT-3,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:8 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±8@Air Gap/±8@Contact Disc kV; 最大工...
PTVS26VP1UP,115
PTVS26VP1UP,115, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 26V 600W,品牌:NXP,封装:SOD-128,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 14.3 A; 最大反向漏电流...
SMCJ6069A
SMCJ6069A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 150V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.7 A; 最大反向漏电...
PTVS9V0S1UR,115
PTVS9V0S1UR,115, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 9V 400W,品牌:NXP,封装:SOD-123W,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 26 A; 最大反向漏电流: ...
3KASMC10AHE3_A/I
3KASMC10AHE3_A/I, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 10V 3000W,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 177 A; 最大反向漏电...
TVS324SM
TVS324SM, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single 24V 150W,品牌:Microsemi,封装:2A-MELF,参数:配置: Single; 峰值脉冲功率耗散: 150 W; 最大峰值脉冲电流: 3.6 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 42 V; 最大反向关态电压: 2...
SMB10J24A-E3
SMB10J24A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 24V 1KW,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1000 W; 最大峰值脉冲电流: 25.7 A; 最大反向漏电流: 1 ...
PJLPT05_R1_00001
PJLPT05_R1_00001, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5V 320W,品牌:Panjit,封装:3SOT-23,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 320 W; 最大峰值脉冲电流: 1 A; 最大反向漏电流...
BZG04-120TR
BZG04-120TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single 120V 300W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 1.5 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 204 V; 最大反向关态电压: 120...