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1N6150A

1N6150A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 16.7V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 49.2 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 30.5 V; 最大反向关态电压: 16.7 V; 最小击穿电压: 20.9 V; 测试电流: 50 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562

  • Description:Diode TVS Single Bi-Dir 16.7V 1.5KW 2-Pin Case G
  • 品牌:Microsemi
  • 封装:2Case G
  • 描述:瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 16.7V 1.5KW
  • DataSheet:数据手册 pdf
  • Description:Diode TVS Single Bi-Dir 16.7V 1.5KW 2-Pin Case G
  • 品牌:Microsemi
  • 封装:2Case G
  • 描述:瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 16.7V 1.5KW
  • DataSheet:数据手册 pdf

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