DDTC114ELP-7
DDTC114ELP-7,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:DFN-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:50 mA; 最小DC直流电流增益:10@1mA@5V|15@2mA@5V|60@10mA@5V|100@50mA@5V|90@70mA@5V...
M8550S
M8550S,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=800mA,BVcbo=40V,BVceo=25V,BVebo=6V,hfe(Min)=80,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.5V,fr=150MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ZXTP2039FTC
ZXTP2039FTC,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V|100@500mA@5V|80@1A@5V|15@2A@5V; 最大工作频率:150(Mi...
2STN2360
2STN2360,功率晶体管,品牌:ST Micro,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:80@100mA@2V|160@1A@2V; 最大工作频率:130(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压...
MS2209
MS2209,功率晶体管,品牌:Microsemi,封装:Case-4 M218,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大DC直流集电极电流:7 A; 最小DC直流电流增益:20@2A@5V; 最大工作频率:225 MHz; 最大集电极基极电压:65 V; 工作温度:-65 to 200 ℃; 最大功率耗散:2200...
MMBT4354
MMBT4354,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.8 A; 最小DC直流电流增益:25@0.1mA@5V|40@1mA@5V|50@10mA@5V|40@100mA@5V|30@500mA@...
BC846,215
BC846,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:110@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@0.5mA@1...
2SD1781
2SD1781,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=800mA,BVcbo=40V,BVceo=32V,BVebo=5V,hfe(Min)=120,hfe(Max)=390,Vce(sat)=0.4V,fr=150+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MJE15033G
MJE15033G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:250 V; 最大DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:70@500mA@5V|50@1A@5V|10@2A@5V; 最大工作频率:30(Min) MHz; 最大集电极发射极...
2SD669A
2SD669A,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=1500mA,BVcbo=180V,BVceo=160V,BVebo=5V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=320,Vce(sat)=1V,fr=140+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SC2230
2SC2230,晶体管,三极管,TO-92MOD封装,参数为:Pcm=800mW,Ic=100mA,BVcbo=200V,BVceo=160V,BVebo=5V,hfe(Min)=120,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.5V,fr=50MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MCH6103-TL-E
MCH6103-TL-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:MCPH-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:200@100mA@2V; 最大工作频率:420(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.43@10mA@500...
BCW30,235
BCW30,235,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:32 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:215@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA@1...
MPSA18RLRMG
MPSA18RLRMG,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:400@0.01mA@5V|500@0.1mA@5V|500@1mA@5V|500@10mA@5V; 最大工作频率:1...
EMZ7T2R
EMZ7T2R,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:EMT-6,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:270@10mA@2V; 最大工作频率:320(Typ)@NPN|260(Typ)@PNP MHz; 最大集电极发射极...
BC80825E6433
BC80825E6433,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:25 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:160@100mA@1V|40@500mA@1V; 最大工作频率:200(Typ) MHz; 最大集电...
SBC848BLT1G
SBC848BLT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0.5mA@1...
IMH24T110
IMH24T110,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:20 V; 峰值DC直流集电极电流:600 mA; 最小DC直流电流增益:820@50mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请...
NSS35200CF8T1G
NSS35200CF8T1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:Chip FET-8,参数:类型:PNP; 引脚数量:8; 最大集电极发射极电压:35 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:100@1A@2V|100@1.5A@2V|100@2A@2V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最...
BD678A
BD678A,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-32-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:750@2A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2.8@40mA@2A V; 最大集电...