2SD1815
2SD1815,晶体管,三极管,TO-251-3L封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=3000mA,BVcbo=120V,BVceo=100V,BVebo=6V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.4V,fr=180+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-838975...
SBC807-25WT1G
SBC807-25WT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SC-70-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:160@100mA@1V|40@500mA@1V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和...
PDTD123YUF
PDTD123YUF,数字晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:500 mA; 最小DC直流电流增益:70@50mA@5V; 工作温度:-55 to 175 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报...
LM3046M/NOPB
LM3046M/NOPB,功率晶体管,品牌:TI,封装:SOIC-14 N,参数:类型:NPN; 引脚数量:14; 最大集电极发射极电压:15 V; 最大DC直流集电极电流:0.05 A; 最小DC直流电流增益:40@1mA@3V; 最大集电极发射极饱和电压:0.23(Typ)@1mA@10mA V; 最大集电极基极电...
NE46234-AZ
NE46234-AZ,功率晶体管,品牌:NEC,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:50@50mA@5V; 最大集电极基极电压:25 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 最大功率耗散:180...
NSS1C201LT1G
NSS1C201LT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:150@10mA@2V|120@500mA@2V|80@1A@2V|40@2A@2V; 最大工作频率:110(Typ...
MMST3904
MMST3904,贴片晶体管,三极管,SOT-323封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=200mA,BVcbo=60V,BVceo=40V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=300,Vce(sat)=0.3V,fr=300MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMSTA56
MMSTA56,贴片晶体管,三极管,SOT-323封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=500mA,BVcbo=80V,BVceo=80V,BVebo=4V,hfe(Min)=50,hfe(Max)=-,Vce(sat)=0.25V,fr=50MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BC850CE6327
BC850CE6327,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:420@2mA@5V; 最大工作频率:250(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0...
DCX144EUQ-7-F
DCX144EUQ-7-F,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-363-6,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:68@5mA@5V@NPN|68@5mA@5V@PNP; 最大集电极基极电压:50 V; 工作...
ZTX749A
ZTX749A,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-226-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:35 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:70@50mA@2V|100@1A@2V|75@2A@2V|15@6A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@...
NJVNJD35N04T4G
NJVNJD35N04T4G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:350 V; 峰值DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:2000@2A@2V|300@4A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@20mA@2A V; 最大...
DDTB114TC-7-F
DDTB114TC-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:40 V; 峰值DC直流集电极电流:500 mA; 最小DC直流电流增益:100@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Moun...
2SA1162-GR(T5L,F,T)
2SA1162-GR(T5L,F,T),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:S-Mini-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@6V; 最大工作频率:80(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压...
BF622
BF622,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=50mA,BVcbo=250V,BVceo=250V,BVebo=5V,hfe(Min)=50,hfe(Max)=-,Vce(sat)=0.6V,fr=60MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MJD122T4
MJD122T4,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-252-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:1000@4A@4V|100@8A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2@16m...
KTA1297
KTA1297,晶体管,三极管,TO-92S封装,参数为:Pcm=400mW,Ic=2000mA,BVcbo=20V,BVceo=20V,BVebo=6V,hfe(Min)=120,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.5V,fr=120+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2PA1774R,115
2PA1774R,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SC-75-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:180@1mA@6V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@5mA@50...
2STR1215
2STR1215,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:15 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:200@50mA@2V|200@0.5A@2V|130@1A@2V|80@2A@2V; 最...
DDC143TU-7-F
DDC143TU-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount....