MJD127T4
MJD127T4,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:1000@4A@4V|100@8A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2@16mA@4A|4@80mA@8A V; ...
NE68518-A
NE68518-A,功率晶体管,品牌:NEC,封装:Super Mini-Mold-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:6 V; 最大DC直流集电极电流:0.03 A; 最小DC直流电流增益:75@10mA@3V; 最大集电极基极电压:9 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 最大功率...
2SA1708S-AN
2SA1708S-AN,功率晶体管,品牌:ON,封装:NMP-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:140@100mA@5V; 最大工作频率:120(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.6@40mA@400mA...
PMSTA56,115
PMSTA56,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@1V|100@100mA@1V; 最大工作频率:50(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压...
FMMT723
FMMT723,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:300@10mA@10V|300@100mA@10V|250@500mA@10V; 最大工作频率:200(Typ) M...
PUMD9,165
PUMD9,165,数字晶体管,品牌:NXP,封装:TSSOP-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价...
STD13003T4
STD13003T4,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-252-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:5@1A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@0.1A@0.5A|1@0.25...
DDTA122TE-7-F
DDTA122TE-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-523-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:40 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mou...
NSVBC114EPDXV6T1G
NSVBC114EPDXV6T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-563-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:35@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface M...
NSV1C200MZ4T1G
NSV1C200MZ4T1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:150@10mA@2V|120@500mA@2V|80@1A@2V|50@2A@2V; 最大集电极发射极饱和电...
2SB1188
2SB1188,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=2000mA,BVcbo=40V,BVceo=32V,BVebo=5V,hfe(Min)=82,hfe(Max)=390,Vce(sat)=0.8V,fr=100+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-8389756...
2SD1816S-H
2SD1816S-H,功率晶体管,品牌:ON,封装:TP-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:140@0.5A@5V; 最大工作频率:180(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@0.2A@2A V; 最大...
PUMB19,115
PUMB19,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:TSSOP-6,参数:配置:Dual; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买...
P2N2222AG
P2N2222AG,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:35@0.1mA@10V|50@1mA@10V|75@10mA@10V|35@10mA@10V|100@150mA@10V...
MUN5216DW1T1G
MUN5216DW1T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:160@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询...
PIMH9,115
PIMH9,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:TSOP-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致...
2SA1204
2SA1204,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=800mA,BVcbo=35V,BVceo=30V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=320,Vce(sat)=0.7V,fr=120+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-8389756...
RN2413TE85LF
RN2413TE85LF,数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:S-Mini-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:120@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Moun...
DDTA114EE-7-F
DDTA114EE-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-523-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:50 mA; 最小DC直流电流增益:30@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-...
DXT5551P5-13
DXT5551P5-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:PowerDI 5-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:160 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:80@1mA@5V|80@10mA@5V|30@50mA@5V; 最大工作频率:130(Typ) ...