2SB1184,晶体管,三极管,TO-251-3L封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=3000mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=82,hfe(Max)=390,Vce(sat)=1V,fr=70+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DDTA123JCA-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:075...
BFS25A,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:5 V; 最大DC直流集电极电流:0.0065 A; 最小DC直流电流增益:50@0.5mA@1V; 最大工作频率:5000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:8 V; 工作温度:-6...
DDTD113ZU-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:500 mA; 最小DC直流电流增益:56@50mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:075...
SNSS40600CF8T1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:Chip FET-8,参数:类型:PNP; 引脚数量:8; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:6 A; 最小DC直流电流增益:250@10mA@2V|250@500mA@2V|220@1A@2V|180@2A@2V|150@3A@2V...
TIP130-S,三极管,达林顿管,品牌:Bourns,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:500@1A@4V|1000@4A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2@16mA@4A|3@30mA@6...
RN2114MFV,L3F,数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:VESM-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:50@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount....
PMST5550,135,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:140 V; 最大DC直流集电极电流:0.3 A; 最小DC直流电流增益:60@1mA@5V|60@10mA@5V|20@50mA@5V; 最大工作频率:300 MHz; 最大集电极发射...
DTC143TCA,NPN贴片数字晶体管,由ROHM原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=200mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=100,Vo(on)=0.3V,R1=4.7K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SB649,晶体管,三极管,TO-92L封装,参数为:Pcm=900mW,Ic=1500mA,BVcbo=180V,BVceo=120V,BVebo=5V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=320,Vce(sat)=1V,fr=140+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SC1383,晶体管,三极管,TO-92L封装,参数为:Pcm=750mW,Ic=1000mA,BVcbo=30V,BVceo=25V,BVebo=5V,hfe(Min)=85,hfe(Max)=340,Vce(sat)=1.2V,fr=200+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SA1020,晶体管,三极管,TO-92MOD封装,参数为:Pcm=900mW,Ic=2000mA,BVcbo=50V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=240,Vce(sat)=0.5V,fr=100+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TIP41CTU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-220AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:6 A; 最小DC直流电流增益:30@300mA@4V|15@3A@4V; 最大工作频率:3(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压...
NSBC143ZF3T5G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-1123-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount....
2SC5086-Y(TE85L),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:SSM-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.08 A; 最小DC直流电流增益:120@20mA@10V; 最大工作频率:7000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:20 V...
SMBT3906E6327HTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:60@100uA@1V|80@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|...
D882,贴片晶体管,三极管,SOT-223封装,参数为:Pcm=1500mW,Ic=3000mA,BVcbo=40V,BVceo=30V,BVebo=6V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.5V,fr=50MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BC846UE6327,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SC-74-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:250(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0....
BC858,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=100mA,BVcbo=30V,BVceo=30V,BVebo=5V,hfe(Min)=125,hfe(Max)=800,Vce(sat)=0.5V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BD234G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-225-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:40@0.15A@2V; 最大工作频率:3(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:60 V; 工作温度:-55 to 150 ℃...
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