BC846S,115
BC846S,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TSSOP-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:110@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.1@0.5mA@10m...
MMBT2222ALP4-7B
MMBT2222ALP4-7B,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:DFN-3 EP,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:35@0.1mA@10V|50@1mA@10V|75@10mA@10V|100@150mA@10V|...
KSA643YTA
KSA643YTA,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:120@100mA@1V; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@50mA@500mA V; 最大集电极基极电压...
BCV47TA
BCV47TA,三极管,达林顿管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:2000@0.1mA@1V|4000@10mA@5V|10000@100mA@5V|2000@500mA...
TIP42C-S
TIP42C-S,功率晶体管,品牌:Bourns,封装:TO-220-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:6 A; 最小DC直流电流增益:30@0.3A@4V|15@3A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@0.6A@6A V; 最大集电极基极电压...
RN2405(T5L,F,T)
RN2405(T5L,F,T),数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:S-Mini-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface M...
2SC3332R
2SC3332R,功率晶体管,品牌:ON,封装:NP-3,参数:引脚数量:3; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
STB1277
STB1277,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=2000mA,BVcbo=30V,BVceo=30V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=320,Vce(sat)=0.8V,fr=170+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBTA13
MMBTA13,三极管,达林顿管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:30 V; 峰值DC直流集电极电流:1.2 A; 最小DC直流电流增益:5000@10mA@5V|10000@100mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@0.1...
NSBA123JF3T5G
NSBA123JF3T5G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-1123-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount....
DRA5143E0L
DRA5143E0L,数字晶体管,品牌:Panasonic,封装:SMini3-F2-B-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:20@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface...
2SB1184
2SB1184,贴片晶体管,三极管,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=3000mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=82,hfe(Max)=390,Vce(sat)=1V,fr=70+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897...
2SB1198
2SB1198,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=500mA,BVcbo=80V,BVceo=80V,BVebo=5V,hfe(Min)=120,hfe(Max)=390,Vce(sat)=0.5V,fr=180+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BD137G
BD137G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-225-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:25@5mA@2V|40@150mA@2V|25@500mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@0.05A@0.5A ...
MS2209
MS2209,功率晶体管,品牌:Microsemi,封装:Case-4 M218,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大DC直流集电极电流:7 A; 最小DC直流电流增益:20@2A@5V; 最大工作频率:225 MHz; 最大集电极基极电压:65 V; 工作温度:-65 to 200 ℃; 最大功率耗散:2200...
SMBTA92E6327HTSA1
SMBTA92E6327HTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:25@1mA@10V|40@10mA@10V|25@30mA@10V; 最大工作频率:50...
MJD361T4-A
MJD361T4-A,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:DPAK-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:90@200mA@1V|60@1A@4V|30@3A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:0.1...
BCX5510TA
BCX5510TA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:25@5mA@2V|40@150mA@2V|25@500mA@2V|63@150mA@2V; 最大工作频率:150(...
BD442
BD442,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=4000mA,BVcbo=80V,BVceo=80V,BVebo=5V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=475,Vce(sat)=0.8V,fr=3MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SC2873-Y(TE12L,CF)
2SC2873-Y(TE12L,CF),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:PW-Mini-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:120@0.5A@2V; 最大工作频率:120(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压...