BDX54-S
BDX54-S,三极管,达林顿管,品牌:Bourns,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:45 V; 峰值DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:750@3A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@12mA@3A V; 最大集电极基极电压:45 V; 安...
PBSS4032SN,115
PBSS4032SN,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SO-8,参数:类型:NPN; 引脚数量:8; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:5.7 A; 最小DC直流电流增益:300@500mA@2V|300@1A@2V|250@2A@2V|200@4A@2V|150@6A@2V; 最大工作...
BF420
BF420,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:50@25mA@20V; 最大工作频率:60(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0....
PMC85XP,115
PMC85XP,115,P沟道MOSFET具有偏置NPN晶体管,品牌:NXP,封装:HUSON-6 EP,参数:分类:P-Channel MOSFET with Biased NPN transistor; 引脚数目:6; 工作温度:-65 to 150 ℃; 所属系列:PMC85XP; 安装方式:Surface Mo...
NST3946DXV6T1G
NST3946DXV6T1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-563-6,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:40@0.1mA@1V@NPN|70@1mA@1V@NPN|100@10mA@1V@NPN|60@5...
BC557BZL1G
BC557BZL1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:180@2mA@5V; 最大工作频率:320(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA@10mA...
BC817-40-7-F
BC817-40-7-F,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.8 A; 最小DC直流电流增益:250@100mA@1V|170@300mA@1V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极...
2SC4672
2SC4672,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=2000mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=6V,hfe(Min)=82,hfe(Max)=390,Vce(sat)=0.35V,fr=210+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-838975...
DDTC144WE-7-F
DDTC144WE-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-523-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:56@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755...
BCV47TA
BCV47TA,三极管,达林顿管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:2000@0.1mA@1V|4000@10mA@5V|10000@100mA@5V|2000@500mA...
BC182G
BC182G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:120@2mA@5V; 最大工作频率:200(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0.5mA@10mA|0....
NSBC123JPDP6T5G
NSBC123JPDP6T5G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-963-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mou...
2SB1218A
2SB1218A,贴片晶体管,三极管,SOT-323封装,参数为:Pcm=150mW,Ic=100mA,BVcbo=45V,BVceo=45V,BVebo=7V,hfe(Min)=160,hfe(Max)=460,Vce(sat)=0.5V,fr=80+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DN0150ALP4-7B
DN0150ALP4-7B,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:DFN-H4-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:120@2mA@6V; 最大工作频率:60(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@10...
PEMH19,115
PEMH19,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-666-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及...
TIP31C-S
TIP31C-S,功率晶体管,品牌:Bourns,封装:TO-220-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:25@1A@4V|10@3A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:1.2@0.375A@3A V; 最大集电极基极电压...
BUJ303A,127
BUJ303A,127,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-220AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:500 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:10@5mA@5V|14@500mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@0.6A@3A V; 工作温度:...
DTC123JUA
DTC123JUA,NPN贴片数字晶体管,由ROHM原厂生产,SOT-323封装,参数为:Pd=200mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=80,Vo(on)=0.3V,R1=2.2K+欧姆,R2=47K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
KSA931
KSA931,晶体管,三极管,TO-92L封装,参数为:Pcm=750mW,Ic=700mA,BVcbo=80V,BVceo=60V,BVebo=8V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=320,Vce(sat)=1.2V,fr=100+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DDTC122TE-7-F
DDTC122TE-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-523-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:40 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mou...