NSBC123JPDXV6T1G
NSBC123JPDXV6T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-563-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mo...
PMBT3906M,315
PMBT3906M,315,功率晶体管,品牌:NXP,封装:DFN-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:60@0.1mA@1V|80@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@100mA@1V; ...
BU407
BU407,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:150 V; 最大DC直流集电极电流:7 A; 最大工作频率:16 MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.5A@5A V; 最大集电极基极电压:330 V; 工作...
ESM3030DV
ESM3030DV,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:ISOTOP-4,参数:配置:Single Dual Emitter; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:300 V; 峰值DC直流集电极电流:100 A; 最小DC直流电流增益:300(Typ)@85A@5V; 最大集电极发射...
ZTX603STOA
ZTX603STOA,三极管,达林顿管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:2000@50mA@5V|5000@500mA@5V|2000@1A@5V|500@2A@5V; 最大...
DTA114EEBTL
DTA114EEBTL,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:EMT3F-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:20@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897...
MJ2955G
MJ2955G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-204-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:15 A; 最小DC直流电流增益:20@4A@4V|5@10A@4V; 最大工作频率:2.5(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@400mA@...
MJD340-13
MJD340-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:DPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:30@50mA@10V; 最大集电极基极电压:300 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 最大功率耗散:1...
DDTC124GE-7-F
DDTC124GE-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-523-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:56@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Moun...
2SC5414AE
2SC5414AE,功率晶体管,品牌:ON,封装:NP-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:90@30mA@5V; 最大工作频率:6700(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:20 V; 工作温度:-55 to 15...
ECLAMP2455K.TCT
ECLAMP2455K.TCT,ESD/EMI保护对于SIM卡,品牌:Semtech,封装:8-Pin,参数:分类:ESD/EMI Protection For Sim Card; 引脚数目:8; 工作温度:-40 to 85 ℃; 所属系列:EClamp2455K; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购...
MMDT2907AQ-7-F
MMDT2907AQ-7-F,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-363-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:75@100uA@10V|100@1mA@10V|100@10mA@10V|100@150mA@10...
ZXTP2039FTC
ZXTP2039FTC,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V|100@500mA@5V|80@1A@5V|15@2A@5V; 最大工作频率:150(Mi...
2N6059
2N6059,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-3P,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:12 A; 最小DC直流电流增益:750@6A@3V|100@12A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@24mA@6A...
PBSS5130PAP,115
PBSS5130PAP,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:DFN-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:250@100mA@2V|170@500mA@2V|120@1A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0.14@50m...
SN75468DE4
SN75468DE4,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@100mA|1.3@200mA|1.6@350mA V; 安装方式:Surface Moun...
PDTA115TM,315
PDTA115TM,315,数字晶体管,品牌:NXP,封装:DFN-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价...
SS8050
SS8050,贴片晶体管,三极管,SOT-323封装,参数为:Pcm=250mW,Ic=1500mA,BVcbo=40V,BVceo=25V,BVebo=5V,hfe(Min)=120,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.5V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PDTC123JE,115
PDTC123JE,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:SC-75-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@10mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. ...
2SA1419S-TD-H
2SA1419S-TD-H,功率晶体管,品牌:ON,封装:PCP-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:160 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:140@100mA@5V; 最大工作频率:120(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@50mA@5...