1N6129A
1N6129A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 69.2V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 4 A; 最大反向漏电流: 1 u...
1N6130
1N6130, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 76V 500W,品牌:Semtech,封装:2Case G-95,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 3.5 A; 最大反向漏电流: 1 u...
1N6130A
1N6130A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 76V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 3.6 A; 最大反向漏电流: 1 u...
1N6131A
1N6131A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 86.6V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 3.3 A; 最大反向漏电流: 1...
1N6132A
1N6132A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 91.2V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 3 A; 最大反向漏电流: 1 u...
1N6133A
1N6133A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 98.8V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 2.8 A; 最大反向漏电流: 1...
1N6134
1N6134, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 114V 500W,品牌:Semtech,封装:2Case G-95,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 2.3 A; 最大反向漏电流: 1 ...
1N6134A
1N6134A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 114V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 2.4 A; 最大反向漏电流: 1 ...
1N6135A
1N6135A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 121.6V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 2.3 A; 最大反向漏电流: ...
1N6136A
1N6136A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 136.8V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 2 A; 最大反向漏电流: 1 ...
1N6137A
1N6137A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 152V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 1.8 A; 最大反向漏电流: 1 ...
1N6139A
1N6139A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5.7V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 133.9 A; 最大反向漏电流...
1N6140A
1N6140A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6.2V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 124 A; 最大反向漏电流: ...
1N6141A
1N6141A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6.9V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 111.9 A; 最大反向漏电流...
1N6142
1N6142, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7.6V 1.5KW,品牌:Semtech,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 98.7 A; 最大反向漏电流: 100 ...
1N6142A
1N6142A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7.6V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 103.4 A; 最大反向漏电流...
1N6143A
1N6143A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 8.4V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 96.2 A; 最大反向漏电流:...
1N6144A
1N6144A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 9.1V 1.5KW,品牌:Semtech,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 88.8 A; 最大反向漏电流: 20 ...
1N6145A
1N6145A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 9.9V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 82.4 A; 最大反向漏电流:...
1N6146A
1N6146A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 11.4V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 71.4 A; 最大反向漏电流...