CTA2N1P-7-F
CTA2N1P-7-F,复合晶体管阵列,品牌:Diodes,封装:SOT-363-6,参数:分类:Complex Transistor Array; 引脚数目:6; 工作温度:-55 to 150 ℃; 所属系列:CTA2N1P; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
DTC143EMT2L
DTC143EMT2L,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:VMT-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755...
2SC2881-Y(TE12L,C)
2SC2881-Y(TE12L,C),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:PW-Mini-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:120 V; 最大DC直流集电极电流:0.8 A; 最小DC直流电流增益:120@100mA@5V; 最大工作频率:120(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱...
HFA3128RZ96
HFA3128RZ96,功率晶体管,品牌:Intersil,封装:QFN-16 EP,参数:类型:PNP; 引脚数量:16; 最大集电极发射极电压:8 V; 最大DC直流集电极电流:0.065 A; 最小DC直流电流增益:20@10mA@2V; 最大工作频率:5500(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0....
BD440
BD440,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=4000mA,BVcbo=60V,BVceo=60V,BVebo=5V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=475,Vce(sat)=0.8V,fr=3MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PBSS9110Z,135
PBSS9110Z,135,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:150@1mA@5V|150@250mA@5V|150@500mA@5V|125@1A@5V; 最大工作频率:...
DDTC124XCA-7-F
DDTC124XCA-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:68@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Moun...
ULQ2003ADR2G
ULQ2003ADR2G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:SOIC-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@500uA@350mA|1.3@350uA@200mA|1.1@250u...
2SC5876T106Q
2SC5876T106Q,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:UMT-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:120@50mA@2V; 最大工作频率:300(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@10mA@10...
2SC4027S-TL-E
2SC4027S-TL-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:TP-FA-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:160 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:140@100mA@5V; 最大工作频率:120(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.45@50m...
BD543A-S
BD543A-S,功率晶体管,品牌:Bourns,封装:TO-220-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:60@1A@4V|40@3A@4V|15@5A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@0.3A@3A|0.5@1A...
BC857AE6327HTSA1
BC857AE6327HTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:125@2mA@5V; 最大工作频率:250(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0...
S8050
S8050,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=500mA,BVcbo=40V,BVceo=25V,BVebo=5V,hfe(Min)=85,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.6V,fr=150MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ZXTP722MATA
ZXTP722MATA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:DFN-3 EP,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:70 V; 最大DC直流集电极电流:2.7 A; 最小DC直流电流增益:300@10mA@5V|300@100mA@5V|175@1A@5V|40@1.5A@5V; 最大工作频率:...
BC846ALT3G
BC846ALT3G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:110@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0.5mA@10...
BC846B,235
BC846B,235,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@0.5mA@...
BC847CW-7-F
BC847CW-7-F,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:420@2mA@5V; 最大工作频率:300(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0....
SOC3810HRB
SOC3810HRB,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:CLCC-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.05 A; 最小DC直流电流增益:100@10uA@5V|150@100uA@5V|150@500uA@5V|150@1m...
BC639RL1G
BC639RL1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:25@5mA@2V|40@150mA@2V|25@500mA@2V; 最大工作频率:200(Typ) MHz; 最大集电极发射...
STX13003G-AP
STX13003G-AP,功率晶体管,品牌:ST Micro,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:8@0.5A@2V|5@1A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@100mA@0.5A|1@250m...