BU407
BU407,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:150 V; 最大DC直流集电极电流:7 A; 最大工作频率:16 MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.5A@5A V; 最大集电极基极电压:330 V; 工作...
S9018
S9018,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=400mW,Ic=50mA,BVcbo=25V,BVceo=18V,BVebo=4V,hfe(Min)=28,hfe(Max)=270,Vce(sat)=0.5V,fr=800+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BF799E6327HTSA1
BF799E6327HTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:0.035 A; 最小DC直流电流增益:35@5mA@10V|40@20mA@10V; 最大工作频率:1100(Typ) MHz; ...
NE68030-T1-A
NE68030-T1-A,功率晶体管,品牌:NEC,封装:SOT-323-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:10 V; 最大DC直流集电极电流:0.035 A; 最小DC直流电流增益:50@5mA@3V; 最大集电极基极电压:20 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 最大功率耗散:...
FMG3AT148
FMG3AT148,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-5,参数:配置:Dual Common Emitter; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface ...
2N3906-AP
2N3906-AP,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-92-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:60@0.1mA@1V|80@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|...
KSA1175
KSA1175,晶体管,三极管,TO-92S封装,参数为:Pcm=250mW,Ic=150mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=700,Vce(sat)=0.3V,fr=50MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BCW29,235
BCW29,235,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:32 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:120@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA@1...
BC807-40LT1G
BC807-40LT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:250@100mA@1V|40@500mA@1V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和...
2SD965A
2SD965A,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=750mW,Ic=5000mA,BVcbo=40V,BVceo=30V,BVebo=7V,hfe(Min)=230,hfe(Max)=800,Vce(sat)=1V,fr=150+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BC557CG
BC557CG,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:420@2mA@5V; 最大工作频率:320(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA@10mA|0....
DDTC114EUA-7-F
DDTC114EUA-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mou...
DTA114TUAT106
DTA114TUAT106,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:UMT-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存...
PDTC115TE,115
PDTC115TE,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:SC-75-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库...
BC858CLT1G
BC858CLT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:420@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA@10m...
SS9012HBU
SS9012HBU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:144@50mA@1V; 最大集电极发射极饱和电压:0.6@50mA@500mA V; 最大集电极基极电压:...
2SB764
2SB764,晶体管,三极管,TO-92L封装,参数为:Pcm=750mW,Ic=1000mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=320,Vce(sat)=0.7V,fr=150+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DTA143TETL
DTA143TETL,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:EMT-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购...
RN1426TE85LF
RN1426TE85LF,数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:S-Mini-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:800 mA; 最小DC直流电流增益:90@100mA@1V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mou...
BCX55,115
BCX55,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:63@5mA@2V|63@150mA@2V|40@500mA@2V; 最大工作频率:180(Typ) MHz; 最大集电极...