HFA3102BZ96
HFA3102BZ96,功率晶体管,品牌:Intersil,封装:SOIC-14 N,参数:类型:NPN; 引脚数量:14; 最大集电极发射极电压:8 V; 最大DC直流集电极电流:0.03 A; 最小DC直流电流增益:40@10mA@3V; 最大工作频率:10000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:12 V;...
NJVMJD41CT4G
NJVMJD41CT4G,功率晶体管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:6 A; 最小DC直流电流增益:30@0.3A@4V|15@3A@4V; 最大工作频率:3(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@600...
ZXTN4004ZTA
ZXTN4004ZTA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:150 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:60@85mA@0.2V|100@150mA@0.25V; 最大集电极基极电压:150 V; 工作温度:-55...
FJP13009TU
FJP13009TU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-220AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:12 A; 最小DC直流电流增益:8@5A@5V|6@8A@5V; 最大工作频率:4(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1...
2SC4617TLQ
2SC4617TLQ,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:EMT-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:120@1mA@6V; 最大工作频率:180(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@5mA@50mA ...
2SC2703
2SC2703,晶体管,三极管,TO-92L封装,参数为:Pcm=750mW,Ic=1000mA,BVcbo=30V,BVceo=30V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=320,Vce(sat)=0.5V,fr=150+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SC6096-TD-H
2SC6096-TD-H,功率晶体管,品牌:ON,封装:PCP-4,参数:询报价及购买请致电:0755-83897562
FMMT591
FMMT591,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=250mW,Ic=1000mA,BVcbo=80V,BVceo=60V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=300,Vce(sat)=0.6V,fr=150MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
KSC1008CYTA
KSC1008CYTA,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.7 A; 最小DC直流电流增益:120@50mA@2V; 最大工作频率:50(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@50...
2SD2061
2SD2061,晶体管,三极管,TO-220F封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=3000mA,BVcbo=80V,BVceo=60V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=320,Vce(sat)=1V,fr=8+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2N6035G
2N6035G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-225-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:100@4A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@8mA@2A|3@40mA@4A V; 最大集电极基极电压:60...
ULN2003AS16-13
ULN2003AS16-13,三极管,达林顿管,品牌:Diodes,封装:SO-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@250uA@100mA|1.3@350uA@200mA|1.6@500uA@350...
MMBT3904LT1HTSA1
MMBT3904LT1HTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:40@100uA@1V|70@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30...
PUMB20,115
PUMB20,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:TSSOP-6,参数:配置:Dual; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@20mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新...
ZXT13P12DE6TA
ZXT13P12DE6TA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:300@10mA@2V|300@1A@2V|200@4A@2V|20@15A@2V; 最大工作频率:55(T...
RN1105,LF(CT)
RN1105,LF(CT),数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:SSM-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:80@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. ...
2SC5007-T1-A
2SC5007-T1-A,功率晶体管,品牌:Renesas,封装:Mini-Mold-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:10 V; 最大DC直流集电极电流:0.065 A; 最小DC直流电流增益:80@7mA@3V; 最大集电极基极电压:20 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 最...
2SD2097
2SD2097,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=5000mA,BVcbo=50V,BVceo=20V,BVebo=6V,hfe(Min)=120,hfe(Max)=390,Vce(sat)=1V,fr=150+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NSBC114YPDXV6T1G
NSBC114YPDXV6T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-563-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mo...
RN2413TE85LF
RN2413TE85LF,数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:S-Mini-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:120@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Moun...