NUP4106DR2G,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:ON,封装:SOIC-8 N,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:8; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:15 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc kV; 最大工...
1.5SMC150A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 128V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 7.2 A; 最大反向漏电流:...
SMBJ12AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 30.2 A; 最大反向漏电...
PTVS51VS1UTR,115, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 51V 400W,品牌:NXP,封装:SOD-123W,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 4.9 A; 最大反向漏电...
P4SMA27AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 23.1V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 10.7 A; 最大反向漏电流: 1...
SMCJ85E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 85V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 9.9 A; 最大反向漏电...
5KP9.0CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 9V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 295 A; 最大反向漏电流: 2...
SMB10J13AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 13V 1KW,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1000 W; 最大峰值脉冲电流: 46.5 A; 最大反向漏电流: 1 ...
1.5SMC30AT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 25.6V 1.5KW,品牌:ON,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 36 A; 最大反向漏电流: 5 uA...
1SMB14AT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 14V 600W,品牌:ON,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 25.8 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大...
SMAJ64CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 64V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 4.4 A; 最大反向漏电流: ...
SMCJ7.0CA-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 125 A; 最大反向漏电流: 40...
SMBJ180AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: S...
BZW04-85B-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 85.5V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 2.9 A; 最大反向漏电流...
SM6T36CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 30.8V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 62 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
P4SMA6.8CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5.8V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 38.1 A; 最大反向漏电流: 20...
1.5KE130CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 111V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 8.4 A; 最大反向漏电流:...
SMA5J40AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 40V 500W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 7.8 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
1N6117A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 22.8V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 12 A; 最大反向漏电流: 1 ...
CD214A-T75ALF, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 75V 400W,品牌:Bourns,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 3.3 A; 最大反向漏电...
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