SMBG5.0CA-E3
SMBG5.0CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5V 600W,品牌:Vishay,封装:SMBG,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 65.2 A; 最大反向漏电流: 1600...
SMCJ58CA-E3
SMCJ58CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 58V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 16 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
SMCJ6042AE3
SMCJ6042AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 11V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 82 A; 最大反向漏电...
BZG04-91TR3
BZG04-91TR3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single 91V 300W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 2 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 152 V; 最大反向关态电压: 91 V; ...
B72590D160H60
B72590D160H60,ESD静电抑制器,品牌:EPCOS(TDK),封装:CSMD-2,参数:类型:CeraDiode; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:290 V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc kV; 最大工作...
SMAJ16E3
SMAJ16E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 16V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 17.6 A; 最大反向漏电流...
TPD4E001DPKT
TPD4E001DPKT,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:USON-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc/±15...
CD214A-T54ALF
CD214A-T54ALF, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 54V 400W,品牌:Bourns,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 4.6 A; 最大反向漏电...
SMBG48AHE3
SMBG48AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 48V 600W,品牌:Vishay,封装:SMBG,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 7.8 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
P4SMA33A-E3
P4SMA33A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 28.2V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 8.8 A; 最大反向漏电流: 1 ...
P6SMB160CAHE3
P6SMB160CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 136V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 2.7 A; 最大反向漏电流: 1 u...
SMCJ10CA-13
SMCJ10CA-13, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 10V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 88.2 A; 最大反向漏电流: 10 ...
PTVS18VP1UP,115
PTVS18VP1UP,115, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 18V 600W,品牌:NXP,封装:SOD-128,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 20.5 A; 最大反向漏电流...
SMCJ7.0CA-M3
SMCJ7.0CA-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 125 A; 最大反向漏电流: 200 ...
1N6292AHE3
1N6292AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 64.1V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 14.6 A; 最大反向漏电流...
SMBJ14E3
SMBJ14E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 14V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 23.3 A; 最大反向漏电流...
B72714D 160H 60
B72714D 160H 60,ESD静电抑制器,品牌:EPCOS(TDK),封装:SMD-8,参数:类型:CeraDiode; 引脚数量:8; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:66 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc kV; 最大工作...
1N6072
1N6072, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 175V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 4.3 A; 最大反向漏电流: 5 u...
SMBJ120E3
SMBJ120E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 120V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 2.8 A; 最大反向漏电...
DF3A6.8UFU,LF
DF3A6.8UFU,LF,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Toshiba,封装:USM-3,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Dual; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±8@Contact Disc kV; 最大工作电压:5 V; 最...