CL31C102JDFNNNE
CL31C102JDFNNNE,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值1 nF,电压200 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度1.25 mm,精度 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
- Description：High Voltage Capacitors_C0G,1 nF,200 Vdc,3.2 x 1.6mm (1206),± 5 %
- 品牌：三星(SAMSUNG)
- 封装：1206(3.2 x 1.6mm)
- 描述：高压C0G电容,1 nF,200 Vdc,3.2 x 1.6mm (1206),± 5 %
- DataSheet：数据手册 pdf
电气特性 Features
- 型号：CL31C102JDFNNNE
- 类别：高压电容(High Voltage)
- 容值：1 nF
- 额定电压：200 Vdc
- 材质(温度特性)：C0G (-55 ~ +125 ℃)
- 尺寸_长x宽 /毫米(英寸)：3.2 x 1.6mm (1206)
- 厚度(毫米)：1.25 mm
- 精度误差：± 5 %
- Description：High Voltage Capacitors_C0G,1 nF,200 Vdc,3.2 x 1.6mm (1206),± 5 %
- 品牌：三星(SAMSUNG)
- 封装：1206(3.2 x 1.6mm)
- 描述：高压C0G电容,1 nF,200 Vdc,3.2 x 1.6mm (1206),± 5 %
- DataSheet：数据手册 pdf
