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IRLHS6276

IRLHS6276,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,PQFN 2 x 2封装,参数为:VBrdss=20V,VGs Max=12V,RDS(on) Max 4.5V=45mOhms,Rth(JA)=86C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

  • 品牌:IR
  • 封装:PQFN 2 x 2
  • 描述:双N沟道MOS管
  • Description:Dual N-channel MOSFET

电气特性 Features

  • 双N沟道MOS管
  • Vbrdss: 20V
  • Vgs(Max): 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 45mΩ
  • Rth(JA): 86℃/W
  • 品牌:IR
  • 封装:PQFN 2 x 2
  • 描述:双N沟道MOS管
  • Description:Dual N-channel MOSFET

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