DF10G7M1N,LF
DF10G7M1N,LF,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Toshiba,封装:DFN-10,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Quad; 引脚数量:10; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:12(Typ) V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±8@Contact Dis...
TBJA475K020LBSB0024
TBJA475K020LBSB0024,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 3216-18,A型,参数:容值: 4.7uF;电压: 20V;公差精度: 10%;外形尺寸: 3.2 X 1.6 X 1.6mm;等效串联电阻: 1.8 Ohm.咨询购买请致电:0755-83897562
CNZ2153
CNZ2153,反射式开关,由PANASONIC原厂生产,TOP-DIP4封装,参数描述:高灵敏度,易安装,最佳感应距离1-10mm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TCRT9000
TCRT9000,反射式开关,由VISHAY原厂生产,TOP-DIP4封装,参数描述:高灵敏度,易安装,最佳感应距离1-10mm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MJD112
MJD112,达林顿晶体管,由ON原厂生产,TO-251-3L封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=2000mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=100012000,Vce(sat)=3V,fr=25MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TAJD155K050HNJ
TAJD155K050HNJ,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 7343-31,D型,参数:容值: 1.5 uF;电压: 50 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 4 Ohm;外形尺寸: 7.3*2.9*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-8389756...
T528Z337M2R5ATE005
T528Z337M2R5ATE005,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-17,Z型,参数:容值: 330 uF;电压: 2.5 Vdc;公差精度: 20%;外形尺寸: 7.3*1.7*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 105 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562
T495X337K006ZTE100
T495X337K006ZTE100,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343,E型,参数:容值: 330 uF;电压: 6.3 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.1 Ohm;外形尺寸: 7.3*4.1*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-8...
Z00607MN 5AA4
Z00607MN 5AA4,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-223-4,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:5 mA; 浪涌电流额定值:9.5 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.5@1.1A V; 重复峰值断态电流:0...
ADC121S021CISD/NOPB
ADC121S021CISD/NOPB,单通道、50至200ksps、12位A/D 转换器,由TI原厂生产,LLP-6 EP封装,参数为:分辨率:12 Bit,采样速率:200 ksps,ADC数量:1,模拟输入数量:1,架构:SAR,是否差分输入:No,数字接口类型:Serial (3-Wire, SPI, QSPI...
LMV324ID
LMV324ID ,四路低压轨至轨输出运算放大器,TI原厂生产,SOIC-14封装,参数为:4通道,通用放大器,典型增益带宽:1 MHz,典型转换速率:1@5V V/us,轨至轨输出,最大供电电流:0.83@5V mA,最大输入失调电压:7@5V mV,最大输入偏置电流:0.25@5V uA,典型输入噪声电压密度:39...
A54SX08A-TQG100A
A54SX08A-TQG100A,现场可编程门阵列(FPGA),8K Gates,512 Cells,238MHz,0.25um/0.22um (CMOS) Technology,2.5V,由Microsemi原厂生产,TQFP-100封装,详细参数为:所属产品系列:SX-A,逻辑门数量(Gates):8000,逻辑单...
2W06G-E4/51
2W06G-E4/51,二极管,整流桥堆,品牌:Vishay,封装:Case-4 WOG,参数:配置:Single; 桥型:Single Phase; 峰值反向重复电压:600 V; 峰值反向电流:5 uA; 峰值平均正向电流:2 A; 峰值正向电压:1.1 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Thr...
B45197A3107K509
B45197A3107K509,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-43,E型,参数:容值: 100 uF;电压: 16 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.1 Ohm;外形尺寸: 7.3*4.1*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83...
DTC124TMT2L
DTC124TMT2L,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:VMT-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及...
XTR110BG
XTR110BG ,精密电压电流转换器/发送器,TI原厂生产,SBCDIP-16封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
D882
D882,晶体管,三极管,TO-251-3L封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=3000mA,BVcbo=40V,BVceo=30V,BVebo=5V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.5V,fr=90+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ADS7829IDRBTG4
ADS7829IDRBTG4,12位高速 2.7V 微功耗模数转换器,由TI原厂生产,VSON-8 EP封装,参数为:分辨率:12 Bit,采样速率:125 ksps,ADC数量:1,模拟输入数量:1,架构:SAR,是否差分输入:Yes,数字接口类型:Serial (3-Wire, SPI),输入类型:Voltage,...
PESD12VS5UD,115
PESD12VS5UD,115,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:NXP,封装:TSOP-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:24 V; 每芯片单元数目:5; ESD保护电压:30@Contact Disc/10@HBM kV; 最大工...
1.5SMC51A-E3
1.5SMC51A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 43.6V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 21.4 A; 最大反向漏电流...