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【保护器件(TVS-ESD)】P4KE27AHE3
P4KE27AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 23.1V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 10.7 A; 最大反向漏电... -
【保护器件(TVS-ESD)】P4KE27A-E3
P4KE27A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 23.1V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 10.7 A; 最大反向漏电... -
【保护器件(TVS-ESD)】P4KE170CAHE3
P4KE170CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 145V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 1.7 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】P4KE170CA-E3
P4KE170CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 145V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 1.7 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】P4KE170AHE3
P4KE170AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 145V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 1.7 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】P4KE170A-E3
P4KE170A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 145V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 1.7 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6147AUS
1N6147AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 12.2V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 67.3 A; 最大反向漏... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6157AUS
1N6157AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 32.7V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 25.4 A; 最大反向漏... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6167AUS
1N6167AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 86.6V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 9.9 A; 最大反向漏电... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6170AUS
1N6170AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 114V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 7.3 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6171AUS
1N6171AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 121.6V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.9 A; 最大反向漏... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6172AUS
1N6172AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 136.8V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.1 A; 最大反向漏... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6172US
1N6172US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 136.8V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.1 A; 最大反向漏电... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6173AUS
1N6173AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 152V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.5 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6470US
1N6470US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 6V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 775 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6471US
1N6471US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 374 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6472US
1N6472US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 15V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 322 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6473US
1N6473US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 24V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 207 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6474US
1N6474US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 30.5V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 181 A; 最大反向漏... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6475US
1N6475US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 40.3V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 135 A; 最大反向漏...