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1N6171AUS

1N6171AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 121.6V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.9 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 218.4 V; 最大反向关态电压: 121.6 V; 最小击穿电压: 152 V; 测试电流: 8 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Surface Mount; 咨询购买请致电:0755-83897562

  • Description:Diode TVS Single Bi-Dir 121.6V 1.5KW 2-Pin G-MELF
  • 品牌:Microsemi
  • 封装:2G-MELF
  • 描述:瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 121.6V 1.5KW

电气特性 Features

  • 配置: Single
  • 方向类型: Bi-Directional
  • 峰值脉冲功率耗散: 1500 W
  • 最大峰值脉冲电流: 6.9 A
  • 最大反向漏电流: 5 uA
  • 最大钳位电压: 218.4 V
  • 最大反向关态电压: 121.6 V
  • 最小击穿电压: 152 V
  • 测试电流: 8 mA
  • 工作温度: -55 to 175 ℃
  • 安装方式: Surface Mount
  • Description:Diode TVS Single Bi-Dir 121.6V 1.5KW 2-Pin G-MELF
  • 品牌:Microsemi
  • 封装:2G-MELF
  • 描述:瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 121.6V 1.5KW
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