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【三星贴片电容(MLCC)】CL31B106KQHNNNE
CL31B106KQHNNNE,高容值X7R电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值10 uF,电压6.3 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度1.6 mm,精度+/-10 %.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【三星贴片电容(MLCC)】CL31A226MOCLNNL
CL31A226MOCLNNL,低调X5R电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值22 uF,电压16 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度0.85 mm,精度+/-20 %.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【三星贴片电容(MLCC)】CL31A106MOHNNNE
CL31A106MOHNNNE,高容值X5R电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值10 uF,电压16 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度1.6 mm,精度+/-20 %.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【三星贴片电容(MLCC)】CL21X106MRFNNNE
CL21X106MRFNNNE,高容值X6S电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值10 uF,电压4 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度1.25 mm,精度+/-20 %.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【三星贴片电容(MLCC)】CL21A106MQFNNNE
CL21A106MQFNNNE,高容值X5R电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值10 uF,电压6.3 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度1.25 mm,精度+/-20 %.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【三星贴片电容(MLCC)】CL21A106MQFNNNG
CL21A106MQFNNNG,高容值X5R电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值10 uF,电压6.3 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度1.25 mm,精度+/-20 %.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【三星贴片电容(MLCC)】CL21A106KQ7LQNC
CL21A106KQ7LQNC,低调X5R电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值10 uF,电压6.3 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.7 mm,精度+/-10 %.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【三星贴片电容(MLCC)】CL10B683KO8NNNC
CL10B683KO8NNNC,通用X7R电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值68 nF,电压16 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-10 %.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRFH4226
IRFH4226,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.4mOhms,Id=110A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRL6283M
IRL6283M,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MD封装,参数为:VBrds=20V,VGs=12V,RDS(on) Max 10V=0.75mOhms,Id=211A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF8736PBF-1
IRF8736PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.8mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF7456PBF-1
IRF7456PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=20V,VGs=12V,RDS(on) Max 10V=6.5mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRFHM4226
IRFHM4226,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.2mOhms,Id=105A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRFHM8326
IRFHM8326,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.7mOhms,Id=70A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRFH8316
IRFH8316,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.95mOhms,Id=120A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF6892S
IRF6892S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET S3C封装,参数为:VBrds=25V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=1.7mOhms,Id=125A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF6893M
IRF6893M,集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=25V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=1.6mOhms,Id=168A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRLH6224
IRLH6224,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=20V,VGs=12V,Id=105A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF7601
IRF7601,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 8封装,参数为:VBrds=20V,VGs=12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRLTS6342
IRLTS6342,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TSOP-6 (Micro 6)封装,参数为:VBrds=30V,VGs=12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562