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【双N-双P沟道MOS管】IRF9953
IRF9953,双P沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=400mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【双N-双P沟道MOS管】IRF7319
IRF7319,1N-1P双沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on)4.5V N-ch=46.0mOhms,RDS(on)4.5V P-ch=98.0mOhms,RDS(on)10V N-ch=29.0mOhms,RDS(on)10V P-ch=5... -
【双N-双P沟道MOS管】IRF7103
IRF7103,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=50V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=200mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【双N-双P沟道MOS管】IRF7329
IRF7329,双P沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-12V,VGs Max=8V,RDS(on) Max 4.5V=17mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【IGBT管-IGBT模块】IRGC30B60KB
IRGC30B60KB,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Vce(ON)@25C typ=1.95V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【IGBT管-IGBT模块】IRG4CC30UB
IRG4CC30UB,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Vce(ON)@25C typ=1.95V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【IGBT管-IGBT模块】IRGC30B60KD
IRGC30B60KD,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Vce(ON)@25C typ=1.95V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【IGBT管-IGBT模块】IRG4CC30FB
IRG4CC30FB,高速(1-8kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Vce(ON)@25C typ=1.59V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【IGBT管-IGBT模块】IRGC4263B
IRGC4263B,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=650V,Vce(ON)@25C typ=1.7V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【IGBT管-IGBT模块】IRG4CC30SB
IRG4CC30SB,DC-1kHz(标准)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Vce(ON)@25C typ=1.4V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【IGBT管-IGBT模块】IRGC35B60PB
IRGC35B60PB,WARP 30-150kHz IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Vce(ON)@25C typ=1.85V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【IGBT管-IGBT模块】IRGC4063B
IRGC4063B,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Vce(ON)@25C typ=1.65V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【IGBT管-IGBT模块】IRG4CH30KB
IRG4CH30KB,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=1200V,Vce(ON)@25C typ=3.1V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【IGBT管-IGBT模块】IRGC35B120KB
IRGC35B120KB,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=1200V,Vce(ON)@25C typ=2.4V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【IGBT管-IGBT模块】IRG7CH73K10EF-R
IRG7CH73K10EF-R,低导通压降(Vceon)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=1200V,Vce(ON)@25C typ=1.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【IGBT管-IGBT模块】IRG7CH30K10EF
IRG7CH30K10EF,低导通压降(Vceon)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=1200V,Vce(ON)@25C typ=2.15V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【IGBT管-IGBT模块】IRG7PG35U
IRG7PG35U,IGBT模块(8-30kHz),由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=1000V,Ic@100C=35A,Vce(ON)@25C typ=1.65V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【IGBT管-IGBT模块】IRGP6630D
IRGP6630D,IGBT模块(8-30kHz),由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=30A,Vce(ON)@25C typ=1.65V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【IGBT管-IGBT模块】IRG7PK35UD1
IRG7PK35UD1,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=1400V,Ic@100C=20A,Vce(ON)@25C typ=2.00V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【IGBT管-IGBT模块】IRGS4630D
IRGS4630D,低导通压降(Vceon)IGBT模块,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=30A,Vce(ON)@25C typ=1.95V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562