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首页 > 产品展示 > 场效应管(MosFET) > IGBT管-IGBT模块
IRG7CH73K10EF-R
IRG7CH73K10EF-R

IRG7CH73K10EF-R

IRG7CH73K10EF-R,低导通压降(Vceon)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=1200V,Vce(ON)@25C typ=1.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

  • Description：Low-Vceon
  • 品牌：IR
  • 封装：Die(裸片)
  • 描述：低导通压降(Vceon)IGBT模块

电气特性 Features

  • 低导通压降(Vceon)IGBT模块
  • Vces: 1200V
  • Vce(ON)@25℃(typ): 1.9V
  • Description：Low-Vceon
  • 品牌：IR
  • 封装：Die(裸片)
  • 描述：低导通压降(Vceon)IGBT模块

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