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【保护器件(TVS-ESD)】1N6158US
1N6158US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 35.8V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 23.2 A; 最大反向漏电... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6159AUS
1N6159AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 38.8V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 21.4 A; 最大反向漏... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6160AUS
1N6160AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 42.6V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 19.5 A; 最大反向漏... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6161AUS
1N6161AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 47.1V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 17.6 A; 最大反向漏... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6162AUS
1N6162AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 51.7V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 15.4 A; 最大反向漏... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6163AUS
1N6163AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 56V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 14.5 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6164AUS
1N6164AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 62.2V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 13.3 A; 最大反向漏... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6165AUS
1N6165AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 69.2V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 12 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6166AUS
1N6166AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 76V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 10.9 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6167AUS
1N6167AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 86.6V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 9.9 A; 最大反向漏电... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6168AUS
1N6168AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 91.2V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 9.1 A; 最大反向漏电... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6169AUS
1N6169AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 98.8V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 8.4 A; 最大反向漏电... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6170AUS
1N6170AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 114V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 7.3 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6171AUS
1N6171AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 121.6V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.9 A; 最大反向漏... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6172AUS
1N6172AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 136.8V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.1 A; 最大反向漏... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6172US
1N6172US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 136.8V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.1 A; 最大反向漏电... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6173AUS
1N6173AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 152V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.5 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6469US
1N6469US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 945 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6470US
1N6470US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 6V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 775 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6471US
1N6471US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 374 A; 最大反向漏电流...