P4KA27AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 23.1V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 10.7 A; 最大反向漏电...
1.5KE12ARL4G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 10.2V 1.5KW,品牌:ON,封装:2Case 41A-04,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 90 A; 最大反向...
1.5SMCJ100A_R2_00001, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 100V 1.5KW,品牌:Panjit,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 9.3 A; 最...
1N6372, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 45V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 19 A; 最大反向漏电流: 2 uA;...
RF2011-000,ESD静电抑制器,品牌:TE,封装:CSP-2,参数:引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:±16@Air Gap/±10@Contact Disc kV; 最大工作电压:6 V; 最大漏电流:1 uA; 电容值:5 pF; 最低工作温度:...
SMLJ10CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 10V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 176.4 A; 最大反向漏电流:...
SMCJ8.5CA-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 8.5V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 104.2 A; 最大反向漏电流...
P6SMB150AT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 128V 600W,品牌:ON,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 2.9 A; 最大反向漏电流: 5 uA; ...
SMCG110A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 110V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMCG,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 8.5 A; 最大反向漏电流: ...
SMCJ36CA-TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 36V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 25.8 A; 最大反向漏电流: 1 u...
STIEC45-27AS,ESD静电抑制器,品牌:STMicroelectronics,封装:DO-214AB-2,参数:引脚数量:2; 最大钳位电压:47 V; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc/25@HBM kV; 最大工作电压:27 V; 最大漏电流:0.2 uA; 最低工作温度...
PTVS51VP1UTP,115, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 51V 600W,品牌:NXP,封装:SOD-128,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 7.3 A; 最大反向漏电流...
PTVS3-430C/MEWRX-PTVS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 430V,品牌:Bourns,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 最大峰值脉冲电流: 3000 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压:...
SM15T6V8A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5.8V 1.5KW,品牌:ST,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 746 A; 最大反向漏电流: 500 uA;...
P4SMA8.2CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7.02V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 33.1 A; 最大反向漏电流: 4...
15KPA40CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 40V 15KW,品牌:Microsemi,封装:2P600,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 15000 W; 最大峰值脉冲电流: 229.5 A; 最大反向漏电...
1N5646A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 30.8V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 30 A; 最大反向漏电流: ...
D1213A-04SO-7,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Diodes,封装:SOT-26-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:10(Typ) V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact...
SMAJ45CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 45V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.2 A; 最大反向漏电流: ...
1.5KE9V1A-B, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 7.78V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 112 A; 最大反向漏电...
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