SMCJ11AE3
SMCJ11AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 11V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 82.4 A; 最大反向...
SMA5J33CA-E3
SMA5J33CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 33V 500W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 9.4 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
SMPC36A-M3
SMPC36A-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 36V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:3SMPC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 25.8 A; 最大反向漏电流: ...
PACDN009MR
PACDN009MR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:ON,封装:MSOP-8,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:8; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:5; ESD保护电压:±15(Min)@Air Gap/±8(Min)@Contact Disc/±15(Min)@HB...
JANTXV1N6153A
JANTXV1N6153A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 22.8V 1.5KW,品牌:Semtech,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 36 A; 最大反向漏电流...
SMCG10A-E3
SMCG10A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 10V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMCG,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 88.2 A; 最大反向漏电流: 5...
P6KE8V2A
P6KE8V2A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 7.02V 600W,品牌:Fairchild,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 50 A; 最大反向漏电流: 2...
SMBJ90CA-E3
SMBJ90CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 90V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 4.1 A; 最大反向漏电流: 1 uA; ...
P6SMB22A-E3
P6SMB22A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 18.8V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 19.6 A; 最大反向漏电流: 1...
SM6T22CAY
SM6T22CAY, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 18.8V 600W,品牌:ST,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 102 A; 最大反向漏电流: 0.2 uA; 最大...
SMA5J7.5AHE3
SMA5J7.5AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 7.5V 500W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 38.8 A; 最大反向漏电流: 1...
SMBJ130CAE3
SMBJ130CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 130V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 2.9 A; 最大反向漏电...
1N6103US
1N6103US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5.7V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 44.6 A; 最大反向漏电流:...
RT100KP75CA/TR8
RT100KP75CA/TR8, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 75V 100KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 100000 W; 最大峰值脉冲电流: 680 A;...
SMLJ24CAE3
SMLJ24CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 24V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 77.2 A; 最大反向漏电流...
5KP45CAE3
5KP45CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 45V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 69 A; 最大反向漏电流: 1...
1.5KE120A-E3
1.5KE120A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 102V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 9.1 A; 最大反向漏电流...
TPD4E1U06DBVR
TPD4E1U06DBVR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:SOT-23-6,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Quad; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:15(Typ) V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±15@Air Gap|±15@C...
CD214A-T6.0CALF
CD214A-T6.0CALF, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6V 400W,品牌:Bourns,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 38.8 A; 最大反向漏电...
1N6136A
1N6136A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 136.8V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 2 A; 最大反向漏电流: 1 ...