SM4T82CAY, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 70V 400W,品牌:ST,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 16 A; 最大反向漏电流: 0.2 uA; 最大钳位电...
LXES1TBCC2-004,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Murata,封装:QFN-4,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Dual; 引脚数量:4; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±15@Air Gap|±12@Contact Disc kV; ...
SMBJ36AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 36V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 10.3 A; 最大反向漏电...
EPS5, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5V 1KW,品牌:Microsemi,封装:2Case A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1000 W; 最大峰值脉冲电流: 89.4 A; 最大反向漏电流: 50 uA;...
SMCJ17CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 17V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 49.2 A; 最大反向漏电...
SM6T47AY, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 40V 600W,品牌:ST,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 48 A; 最大反向漏电流: 0.2 uA; 最大钳位...
P6SMB56A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 47.8V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 7.8 A; 最大反向漏电流: 1 ...
SMA6J33A-TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 33V 600W,品牌:ST,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 57 A; 最大反向漏电流: 0.2 uA; 最...
1N6289ARL4G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 47.8V 1.5KW,品牌:ON,封装:2Case 41A-04,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 19.5 A; 最大反...
CD214B-T8.5ALF, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 8.5V 600W,品牌:Bourns,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 41.7 A; 最大反向漏电流:...
P6KE400CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 342V 600W,品牌:Fairchild,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 1.1 A; 最大反向漏电流: 5 ...
1.5KA10HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 8.1V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 100 A; 最大反向漏电流: ...
SMAJ6.0CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 43.9 A; 最大反向漏电流:...
SZNUP4301MR6T1G,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:ON,封装:SC-74-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc kV; 最大工作电压:70 V; ...
BZG04-130TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single 130V 300W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 1.3 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 224 V; 最大反向关态电压: 130...
1N6106AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7.6V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 34.5 A; 最大反向漏电流...
P4SMA8.2AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 7.02V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 33.1 A; 最大反向漏电流: ...
1.5KE24A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 20.5V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 45.2 A; 最大反向漏电...
SMCJ7.5CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7.5V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 104.9 A; 最大反...
P4KE8.2CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7.02V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 33.1 A; 最大反向漏电...
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