P6KE11AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 9.4V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 38.5 A; 最大反向漏电流: 5...
CD214A-T33CALF, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 33V 400W,品牌:Bourns,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 7.5 A; 最大反向漏电流...
SMCJLCE13AE3/TR7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 13V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 70 A;...
1N6269AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 7.02V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 124 A; 最大反向漏电流:...
SMBJ43AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 43V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 8.6 A; 最大反向漏电流...
ZEN065V230A16LS,聚合物ESD静电抑制器,品牌:TE,封装:SMD-3,参数:类型:Polymer; 引脚数量:3; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:15@HBM kV; 电容值:4200(Typ) pF; 最低工作温度:-40 ℃; 最大工作温度:85 ℃; 安装方式:Surface Mount....
CD214A-T90ALF, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 90V 400W,品牌:Bourns,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 2.7 A; 最大反向漏电...
SMCJ24CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 24V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 38.6 A; 最大反向漏...
P4KE15AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12.8V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 18.9 A; 最大反向漏电...
PESD0402-060,ESD静电抑制器,品牌:TE,封装:SMD-2,参数:引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:40(Typ) V; ESD保护电压:25@Air Gap/15@Contact Disc kV; 最大工作电压:6 V; 电容值:0.25(Typ) pF; 最低工作...
RF1600-000,ESD静电抑制器,品牌:TE,封装:SMD-2,参数:引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:40(Typ) V; ESD保护电压:25@Air Gap/15@Contact Disc KV; 最大工作电压:14 V; 最大漏电流:10 uA; 电容值:0.25(T...
SMBG18CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 18V 600W,品牌:Vishay,封装:SMBG,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 20.5 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
BZW04-13B-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 12.8V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 19 A; 最大反向漏电流:...
BZW04-48BHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 47.8V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 5.2 A; 最大反向漏电流...
SMAJ6.0CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 38.8 A; 最大反向漏电流: 1600 ...
BZW04-5V8B-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5.8V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 38 A; 最大反向漏电流:...
P6KE13ARLG, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 11.1V 600W,品牌:ON,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 33 A; 最大反向漏电流: 5 uA; ...
1N6471, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 374 A; 最大反向漏电流: ...
DF3S6.8ECT(TPL3),ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Toshiba,封装:CTS-3,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Dual; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±8@Contact Disc kV; 最大工作电压:5 V...
SMCJ20A-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 20V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 46.3 A; 最大反向漏电流: 1 ...
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