EPS15, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 15V 1KW,品牌:Microsemi,封装:2Case A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1000 W; 最大峰值脉冲电流: 33.9 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
SMLJ100CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 100V 3KW,品牌:Bourns,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 18.6 A; 最大反向漏...
5KP78CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 78V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 36 A; 最大反向漏电流: 10...
SESD0402X1UN-0020-090,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TE,封装:DFN-2,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:2; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:9.2 V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:20@Air Gap/20@Contact Dis...
SMA5J16CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 16V 500W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 19.2 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
SMCG64AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 64V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMCG,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 14.6 A; 最大反向漏电流: 1...
1.5KE56CARL, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 47.8V 1.5KW,品牌:ST,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 100 A; 最大反向漏电流: 1 u...
SMCJ5649AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 40.2V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 23.2 A; ...
SMCJ24AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 24V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 38.6 A; 最大反向漏电流: 1 ...
SMBJ20CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 20V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 18.5 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
SMBJ43CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 43V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 8.6 A; 最大反向漏电流: 1 uA; ...
HSP061-4M10Y,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:STMicroelectronics,封装:UQFN-10,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Quad; 引脚数量:10; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:15 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:15@Air ...
BZW04-7V0B-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7.02V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 33 A; 最大反向漏电流...
MAX3202EEBS+T,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Maxim,封装:UCSP-4,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:4; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc...
SMCJ58A-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 58V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 16 A; 最大反向漏电流: 5 ...
P4SMA82CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 70.1V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 3.5 A; 最大反向漏电流: 1 u...
SMBG58A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 58V 600W,品牌:Vishay,封装:SMBG,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 6.4 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
SMCJ150CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 150V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.6 A; 最大反向漏...
BZW06-342RL, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 342V 600W,品牌:ST,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 5.7 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
SMCJ85AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 85V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 10.4 A; 最大反向...
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