SMBJ18CE3
SMBJ18CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 18V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 18.6 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 32.2 V; 最大反向关态电压: 18 V; 最小击穿电压: 20 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Surface Mount; 咨询购买请致电:0755-83897562
