1N6111
1N6111, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 12.2V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 22.4 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 22.3 V; 最大反向关态电压: 12.2 V; 最小击穿电压: 15.2 V; 测试电流: 75 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
